|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. А. Ормонт, А. А. Ляшенко, “Особенности поведения температурной зависимости высокочастотной проводимости неупорядоченных полупроводников в терагерцовой области частот”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 14–21   |
|
2023 |
| 2. |
М. А. Ормонт, Н. В. Валенко, “Особенности поведения высокочастотной проводимости неупорядоченных полупроводников с ростом температуры”, Физика твердого тела, 65:7 (2023), 1244–1250 |
|
2020 |
| 3. |
М. А. Ормонт, И. П. Звягин, “Высокочастотная проводимость неупорядоченных полупроводников в области перехода от линейной к квадратичной частотной зависимости”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 36–43 ; M. A. Ormont, I. P. Zvyagin, “High-frequency conductivity of disordered semiconductors in the region of the transition from the linear to quadratic frequency dependence”, Semiconductors, 54:1 (2020), 33–39 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
М. А. Ормонт, И. П. Звягин, “Неуниверсальность частотной зависимости проводимости неупорядоченных наногранулированных систем”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2331–2339 ; M. A. Ormont, I. P. Zvyagin, “The nonuniversality of the frequency dependence of the conductivity in disordered nanogranulated systems”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2408–2417 |
1
|
| 5. |
М. А. Ормонт, И. П. Звягин, “Частотная зависимость угла диэлектрических потерь в неупорядоченных полупроводниках в терагерцовой области частот”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 880–887 ; M. A. Ormont, I. P. Zvyagin, “Frequency dependence of the dielectric loss angle in disordered semiconductors in the terahertz frequency range”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 882–889 |
2
|
| 6. |
М. А. Ормонт, И. П. Звягин, “Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 161–166 ; M. A. Ormont, I. P. Zvyagin, “Frequency dependence of the conductivity of disordered semiconductors in the region of the transition to the fixed-range hopping regime”, Semiconductors, 52:2 (2018), 150–155 |
4
|
|
2015 |
| 7. |
М. А. Ормонт, “Смена механизма переноса в области перехода от сублинейности к суперлинейности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1314–1319 ; M. A. Ormont, “Crossover between transport mechanisms in the region of the transition from sublinearity to superlinearity of the AC-conductivity frequency dependence for disordered semiconductors”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1270–1275 |
4
|
| 8. |
М. А. Ормонт, И. П. Звягин, “Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 449–452 ; M. A. Ormont, I. P. Zvyagin, “Specific features of the frequency dependence of the conductivity of disordered semiconductors in the region of the crossover between transport mechanisms”, Semiconductors, 49:4 (2015), 437–441 |
8
|
|
