|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния”, Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025), 328–331  |
| 2. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, С. А. Левина, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 291–293 |
| 3. |
С. А. Левина, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 214–218 |
| 4. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, В. В. Олейник, Р. А. Салий, А. Ф. Скачков, Л. Н. Скачкова, М. З. Шварц, “Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 51:13 (2025), 40–43  |
|
2024 |
| 5. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Эффективность концентраторных фотоэлектрических модулей на основе короткофокусных линз Френеля и A$^3$B$^5$ солнечных элементов”, ЖТФ, 94:10 (2024), 1701–1706 |
| 6. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Концентраторные фотоэлектрические модули на основе короткофокусных линз Френеля с комбинированным профилем”, Письма в ЖТФ, 50:23 (2024), 77–81 |
| 7. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, “Оптимизационные решения для фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и трех-/пятипереходными солнечными элементами”, Письма в ЖТФ, 50:18 (2024), 7–10 |
| 8. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, “Поиск компромиссных конструктивных решений для модулей с линзовыми концентраторами солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 8–11 |
|
2023 |
| 9. |
Д. Ю. Березанов, В. М. Емельянов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. Р. Ларионов, “Методика контроля соотношения прямой и диффузной компонент солнечного излучения при измерении фотоэлектрических характеристик гибридного модуля”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 69–72 |
| 10. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Исследование характеристик гибридных фотоэлектрических модулей в условиях локальной неравномерности облученности и частичного затенения”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 42–45 |
|
2020 |
| 11. |
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 400–407 ; V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, “Effects of doping of bragg reflector layers on the electrical characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic photovoltaic converters”, Semiconductors, 54:4 (2020), 476–483 |
2
|
|
2019 |
| 12. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 41–43 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Increasing the photocurrent of a Ga(In)As subcell in multijunction solar cells based on GaInP/Ga(In)As/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1258–1261 |
1
|
|
2018 |
| 13. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, В. М. Андреев, “Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 95–101 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Andreev, “An antireflection coating of a germanium subcell in GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1042–1044 |
1
|
| 14. |
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 50–58 ; V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, “Optical properties of InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures for photovoltaic converters of laser and solar radiation”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 877–880 |
2
|
|
2016 |
| 15. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1242–1246 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 |
50
|
| 16. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Д. В. Рыбальченко, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 525–530 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, D. V. Rybalchenko, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates”, Semiconductors, 50:4 (2016), 517–522 |
10
|
| 17. |
В. М. Емельянов, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 132–137 ; V. M. Emelyanov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters”, Semiconductors, 50:1 (2016), 132–137 |
9
|
| 18. |
В. М. Емельянов, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 125–131 ; V. M. Emelyanov, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm”, Semiconductors, 50:1 (2016), 125–131 |
18
|
|
2013 |
| 19. |
О. И. Честа, Г. М. Аблаев, А. А. Блатов, А. В. Бобыль, В. М. Емельянов, Д. Л. Орехов, Е. И. Теруков, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H при повышенной освещенности”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1385–1390 ; O. I. Chosta, G. M. Ablayev, A. A. Blatov, A. V. Bobyl', V. M. Emelyanov, D. L. Orekhov, E. I. Terukov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Method for studying the light-induced degradation of $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si:H tandem photovoltaic converters under increased illuminance”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1376–1381 |
| 20. |
В. М. Емельянов, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, А. С. Гудовских, Е. М. Ершенко, С. А. Кудряшов, Е. И. Теруков, О. И. Честа, М. З. Шварц, “Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1264–1269 ; V. M. Emelyanov, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, A. S. Gudovskikh, E. M. Ershenko, S. A. Kudryashov, E. I. Terukov, O. I. Chosta, M. Z. Shvarts, “Analysis of light-induced degradation mechanisms in $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H solar photovoltaics”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1252–1257 |
| 21. |
В. М. Емельянов, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, А. С. Гудовских, Д. Л. Орехов, Е. И. Теруков, Н. Х. Тимошина, О. И. Честа, М. З. Шварц, “Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 667–674 ; V. M. Emelyanov, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', A. S. Gudovskikh, D. L. Orekhov, E. I. Terukov, N. Kh. Timoshina, O. I. Chosta, M. Z. Shvarts, “Study of the light-induced degradation of tandem $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H photovoltaic converters”, Semiconductors, 47:5 (2013), 679–685 |
7
|
| 22. |
В. М. Емельянов, А. В. Бобыль, Е. И. Теруков, О. И. Честа, М. З. Шварц, “Фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах”, Письма в ЖТФ, 39:20 (2013), 40–48 ; V. M. Emelyanov, A. V. Bobyl', E. I. Terukov, O. I. Chosta, M. Z. Shvarts, “Photoinduced degradation of $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H”, Tech. Phys. Lett., 39:10 (2013), 906–909 |
2
|
|
2012 |
| 23. |
С. А. Блохин, А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, В. М. Емельянов, В. Н. Неведомский, М. З. Шварц, М. В. Максимов, В. М. Лантратов, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 38:22 (2012), 43–49 ; S. A. Blokhin, A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Emelyanov, V. N. Nevedomskiy, M. Z. Shvarts, M. V. Maksimov, V. M. Lantratov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “Influence of the position of InGaAs quantum dot array on the spectral characteristics of AlGaAs/GaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 38:11 (2012), 1024–1026 |
2
|
|
