|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин, “Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 491–503   ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, “Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1010–1016 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. S. Zolotukhin, D. L. Goloshchapov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, “Comprehensive study of the nanoporous si layer influence on atomic and electron structure and optical properties of A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999 |
2
|
|
2018 |
| 3. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke, “Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1553–1562 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 |
2
|
|
2017 |
| 4. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Э. П. Домашевская, П. В. Середин, А. Н. Бельтюков, Ф. З. Гильмутдинов, “Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 773–782 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, È. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Beltyukov, F. Z. Gilmutdinov, “Composition of nanocomposites of thin tin layers on porous silicon, formed by magnetron sputtering”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 791–800 |
| 5. |
А. И. Чукавин, Р. Г. Валеев, А. Н. Бельтюков, “Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$, полученных в матрице пористого оксида алюминия,”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1400–1403 ; A. I. Chukavin, R. G. Valeev, A. N. Beltyukov, “X-ray photoelectron spectroscopy studies of ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$ nanostructures produced in a porous aluminum-oxide matrix”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1350–1353 |
1
|
| 6. |
Р. Г. Валеев, А. Л. Тригуб, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al$_{2}$O$_{3}$ различной толщины”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 216–221 ; R. G. Valeev, A. L. Trigub, A. I. Chukavin, A. N. Beltyukov, “Structural studies of ZnS:Cu (5 at %) nanocomposites in porous Al$_{2}$O$_{3}$ of different thicknesses”, Semiconductors, 51:2 (2017), 207–212 |
|
2016 |
| 7. |
Р. Г. Валеев, Д. И. Петухов, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 269–273 ; R. G. Valeev, D. I. Petukhov, A. I. Chukavin, A. N. Beltyukov, “Light-emitting nanocomposites on the basis of ZnS:Cu deposited into porous anodic Al$_2$O$_3$ matrices”, Semiconductors, 50:2 (2016), 266–270 |
3
|
| 8. |
Р. Г. Валеев, Д. И. Петухов, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Электролюминесцентные слои на основе ZnS : Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 23–28 ; R. G. Valeev, D. I. Petukhov, A. I. Chukavin, A. N. Beltyukov, “Electroluminescent layers based on ZnS:Cu deposited into matrices of porous anodic Al$_{2}$O$_{3}$”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 124–126 |
2
|
|
2011 |
| 9. |
Р. Г. Валеев, А. Н. Бельтюков, В. М. Ветошкин, Э. А. Романов, А. А. Елисеев, “Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe”, ЖТФ, 81:6 (2011), 153–155 ; R. G. Valeev, A. N. Beltyukov, V. M. Vetoshkin, È. A. Romanov, A. A. Eliseev, “Radiation parameters of thin-film electroluminescent emitters based on ZnSe nanocomposite layers”, Tech. Phys., 56:6 (2011), 896–898 |
2
|
|
