|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
А. В. Рожков, П. Б. Родин, “Прямая токовая модуляция мощных полупроводниковых лазеров с помощью высокочастотных автоколебаний в арсенид-галлиевых лавинных диодах”, Письма в ЖТФ, 52:1 (2026), 36–40  |
|
2024 |
| 2. |
А. В. Рожков, М. С. Иванов, П. Б. Родин, “Самовозбуждение высокочастотных автоколебаний в лавинных арсенид-галлиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 44–47  |
| 3. |
А. В. Рожков, В. Х. Кайбышев, А. А. Торопов, П. Б. Родин, “Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении”, Письма в ЖТФ, 50:6 (2024), 11–14 |
|
2022 |
| 4. |
М. С. Иванов, А. В. Рожков, П. Б. Родин, “Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах”, Письма в ЖТФ, 48:20 (2022), 31–34 |
2
|
| 5. |
А. В. Рожков, М. С. Иванов, П. Б. Родин, “Эффект самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных GaAs-диодах, переключаемых в режиме задержанного лавинного пробоя”, Письма в ЖТФ, 48:16 (2022), 25–29 |
2
|
|
2020 |
| 6. |
А. В. Рожков, “О токовой зависимости эффективности инжекции и относительном вкладе скорости эмиссии и внутренних оптических потерь в насыщение ватт-амперной характеристики мощных импульсных лазеров ($\lambda$ = 1.06 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 721–728 ; A. V. Rozhkov, “On the current dependence of the injection efficiency and the relative contribution of the escape rate and internal optical loss to saturation of the power–current characteristics of high-power pulsed lasers ($\lambda$ = 1.06 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:8 (2020), 869–876 |
1
|
|
2018 |
| 7. |
А. В. Рожков, Н. А. Пихтин, “Численное моделирование токовой зависимости спектров излучения мощных импульсных лазеров, выполненных на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 46–52 ; A. V. Rozhkov, N. A. Pikhtin, “Numerical simulation of the current dependence of emission spectra of high-power pulsed lasers based on separate-confinement double heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 476–478 |
|
2015 |
| 8. |
В. И. Брылевский, А. В. Рожков, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении”, Письма в ЖТФ, 41:7 (2015), 1–7 ; V. I. Brylevsky, A. V. Rozhkov, I. A. Smirnova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Anomalous dynamics of the residual voltage across a gallium-arsenide diode upon subnanosecond avalanche switching”, Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 307–309 |
14
|
|
2014 |
| 9. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Васильева, Н. А. Пихтин, А. В. Рожков, А. В. Горбатюк, В. В. Золотарев, Д. А. Веселов, А. В. Жаботинский, А. А. Петухов, И. С. Тарасов, Т. А. Багаев, М. В. Зверков, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, “Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 716–718 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Vasil'eva, N. A. Pikhtin, A. V. Rozhkov, A. V. Gorbatyuk, V. V. Zolotarev, D. A. Veselov, A. V. Zhabotinsky, A. A. Petukhov, I. S. Tarasov, T. A. Bagaev, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “On the control efficiency of a high-power laser thyristor emitting in the 890–910 nm spectral range”, Semiconductors, 48:5 (2014), 697–699 |
18
|
|
2013 |
| 10. |
И. В. Грехов, А. В. Рожков, Л. С. Костина, А. В. Коновалов, Ю. Л. Фоменко, “Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением”, ЖТФ, 83:1 (2013), 105–109 ; I. V. Grekhov, A. V. Rozhkov, L. S. Kostina, A. V. Konovalov, Yu. L. Fomenko, “High-voltage field-controlled integrated thyristor”, Tech. Phys., 58:1 (2013), 100–104 |
7
|
| 11. |
И. В. Грехов, Д. В. Гусин, Б. В. Иванов, А. В. Рожков, “Инжекционно-ионизационный механизм неустойчивости тока при выключении интегрального тиристора с полевым управлением”, Письма в ЖТФ, 39:23 (2013), 18–25 ; I. V. Grekhov, D. V. Gusin, B. V. Ivanov, A. V. Rozhkov, “Injection ionization mechanism of current instability during switching off an integrated field controlled thyristor”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1036–1039 |
| 12. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Ю. Лешко, А. В. Рожков, И. С. Тарасов, “Инжекционные полупроводниковые лазеры InGaAs/GaAs с волноводом на одиночной квантовой яме”, Письма в ЖТФ, 39:8 (2013), 9–16 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. Yu. Leshko, A. V. Rozhkov, I. S. Tarasov, “Semiconductor InGaAs/GaAs injection lasers with waveguides based on a single quantum well”, Tech. Phys. Lett., 39:4 (2013), 364–366 |
6
|
|
2011 |
| 13. |
И. В. Грехов, А. В. Рожков, Л. С. Костина, А. В. Коновалов, Ю. Л. Фоменко, “Высоковольтный быстрый диод с “мягким” восстановлением”, ЖТФ, 81:10 (2011), 50–54 ; I. V. Grekhov, A. V. Rozhkov, L. S. Kostina, A. V. Konovalov, Yu. L. Fomenko, “High-voltage fast diode with “soft” recovery”, Tech. Phys., 56:10 (2011), 1429–1433 |
3
|
| 14. |
И. В. Грехов, Е. И. Белякова, Л. С. Костина, А. В. Рожков, Т. С. Аргунова, Г. А. Оганесян, “Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием”, Письма в ЖТФ, 37:13 (2011), 83–89 ; I. V. Grekhov, E. I. Belyakova, L. S. Kostina, A. V. Rozhkov, T. S. Argunova, G. A. Oganesyan, “Reverse recovery of Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ heterodiodes fabricated by direct bonding”, Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 632–635 |
| 15. |
И. В. Грехов, Л. С. Костина, В. В. Козловский, В. Н. Ломасов, А. В. Рожков, “Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния”, Письма в ЖТФ, 37:9 (2011), 105–110 ; I. V. Grekhov, L. S. Kostina, V. V. Kozlovsky, V. N. Lomasov, A. V. Rozhkov, “Electron irradiation controlled profile of recombination center concentration in silicon”, Tech. Phys. Lett., 37:5 (2011), 442–444 |
|
