|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. Е. Белова, С. Г. Шемардов, С. С. Фанченко, Е. А. Головкова, О. А. Кондратьев, “Имплантация ионов кремния в сапфир: малые дозы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 766–770   ; N. E. Belova, S. G. Shemardov, S. S. Fanchenko, E. A. Golovkova, O. A. Kondratev, “Implantation of silicon ions into sapphire: low doses”, Semiconductors, 54:8 (2020), 912–915 |
|
2015 |
| 2. |
П. А. Александров, Н. Е. Белова, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, “Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1124–1128 ; P. A. Aleksandrov, N. E. Belova, K. D. Demakov, S. G. Shemardov, “On the generation of charge-carrier recombination centers in the sapphire substrates of silicon-on-sapphire structures”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1099–1103 |
6
|
|
2013 |
| 3. |
П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов, “Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 264–266 ; P. A. Aleksandrov, K. D. Demakov, S. G. Shemardov, Yu. Yu. Kuznetsov, “Recrystallization of silicon-on-sapphire structures at various amorphization-ion-beam energies”, Semiconductors, 47:2 (2013), 298–300 |
4
|
|
1990 |
| 4. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин, К. Д. Демаков, Е. В. Котов, А. П. Новиков, С. Г. Шемардов, “Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1132–1133 |
|
1988 |
| 5. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, А. Е. Городецкий, К. Д. Демаков, О. Г. Кутукова, С. Г. Шемардов, “Исследование распределения аморфной и кристаллической фазы
ионно-синтезированного SiC в Si”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 731–732 |
|
