|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Т. А. Комиссарова, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 42–49   ; T. A. Komissarova, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Spontaneous formation of indium clusters in InN epilayers grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 149–152 |
1
|
|
2015 |
| 2. |
Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, С. В. Сорокин, Е. В. Контрош, Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, С. В. Иванов, “Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 41:18 (2015), 82–88 ; G. V. Klimko, T. A. Komissarova, S. V. Sorokin, E. V. Kontrosh, N. M. Lebedeva, A. A. Usikova, N. D. Il'inskaya, V. S. Kalinovskii, S. V. Ivanov, “MBE-grown GaAs:Si/GaAs:Be tunnel diodes for multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 905–908 |
2
|
|
2014 |
| 3. |
Т. А. Комиссарова, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, P. Paturi, Д. Л. Федоров, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 352–357 ; T. A. Komissarova, A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, P. Paturi, D. L. Fedorov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Peculiarities of the electrophysical properties of InSb/AlInSb/AlSb heterostructures with a high electron concentration in the two-dimensional channel”, Semiconductors, 48:3 (2014), 338–343 |
| 4. |
Е. А. Европейцев, Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 32–35 ; E. A. Evropeitsev, G. V. Klimko, T. A. Komissarova, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Transport parameters and optical properties of selectively doped Ga(Al)As/Zn(Mn)Se heterovalent structures with a two-dimensional hole channel”, Semiconductors, 48:1 (2014), 30–33 |
1
|
|
