|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m”, ЖТФ, 88:2 (2018), 234–237   ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “InAsSbP photodiodes for 2.6–2.8-$\mu$m wavelengths”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 226–229 |
7
|
|
2017 |
| 2. |
А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 269–275 ; A. L. Zakhgeim, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, A. E. Chernyakov, “Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures”, Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266 |
13
|
|
2016 |
| 3. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 657–662 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. G. Karpukhina, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “Photodiode 1 $\times$ 64 linear array based on a double $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs heterostructure”, Semiconductors, 50:5 (2016), 646–651 |
3
|
|
2014 |
| 4. |
P. N. Brunkov, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. M. Latnikova, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, A. S. Petrov, M. A. Remennyi, E. N. Sevostyanov, N. M. Stus, “$P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1394–1397 ; Semiconductors, 48:10 (2014), 1359–1362 |
7
|
|
2013 |
| 5. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. М. Латникова, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Е. Н. Севостьянов, Н. М. Стусь, “Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs”, Письма в ЖТФ, 39:18 (2013), 45–52 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. M. Latnikova, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, E. N. Sevostyanov, N. M. Stus, “Cooled photodiodes based on a type-II single $p$-InAsSbP/$n$-InAs heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 39:9 (2013), 818–821 |
4
|
|
