|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. А. Володин, Г. К. Кривякин, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, С. В. Гусакова, А. А. Попов, “Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур $a$-Ge/$a$-Si под действием наносекундного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 423–429   ; V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, S. V. Gusakova, A. A. Popov, “Crystallization of amorphous germanium films and multilayer $a$-Ge/$a$-Si structures upon exposure to nanosecond laser radiation”, Semiconductors, 53:3 (2019), 400–405 |
26
|
|
2015 |
| 2. |
Г. А. Новиков, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, И. А. Файзрахманов, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, “Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце”, ЖТФ, 85:3 (2015), 89–95 ; H. A. Novikov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, I. A. Faizrakhmanov, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, “Optical diagnostics of the laser-induced phase transformations in thin germanium films on silicon, sapphire, and fused silica”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 406–412 |
5
|
| 3. |
Г. А. Новиков, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, И. А. Файзрахманов, Н. М. Лядов, В. А. Шустов, К. Н. Галкин, Н. Г. Галкин, И. М. Чернев, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, П. И. Гайдук, “Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: структура и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 746–752 ; H. A. Novikov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, I. A. Faizrakhmanov, N. M. Lyadov, V. A. Shustov, K. N. Galkin, N. G. Galkin, I. M. Chernev, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, P. I. Gaiduk, “Pulsed modification of germanium films on silicon, sapphire, and quartz substrates: Structure and optical properties”, Semiconductors, 49:6 (2015), 729–735 |
6
|
|
2014 |
| 4. |
Г. Д. Ивлев, Н. М. Казючиц, С. Л. Прокопьев, М. С. Русецкий, П. И. Гайдук, “Структура и фотопроводимость эпитаксиальных слоев SiGe/Si, модифицированных моноимпульсным лазерным облучением”, Письма в ЖТФ, 40:23 (2014), 9–15 ; G. D. Ivlev, N. M. Kazyuchits, S. L. Prokopyev, M. S. Rusetsky, P. I. Gaiduk, “The structure and photoconductivity of SiGe/Si epitaxial layers modified by single-pulse laser radiation”, Tech. Phys. Lett., 40:12 (2014), 1042–1044 |
2
|
|
