|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. В. Круглов, Д. А. Серов, А. И. Белов, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, Д. А. Антонов, Д. О. Филатов, В. А. Хабибулова, А. Н. Михайлов, О. Н. Горшков, “Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)”, ЖТФ, 95:9 (2025), 1733–1743   |
|
2024 |
| 2. |
А. В. Круглов, Д. А. Серов, А. И. Белов, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)”, ЖТФ, 94:11 (2024), 1833–1842 |
| 3. |
И. В. Самарцев, Н. В. Байдусь, С. Ю. Зубков, Д. М. Балясников, К. С. Жидяев, А. В. Здоровейщев, А. И. Бобров, К. В. Сидоренко, А. В. Нежданов, Д. С. Клементьев, “Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs”, Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 709–713 |
|
2023 |
| 4. |
Р. Н. Крюков, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, С. Ю. Зубков, “Влияние температуры роста на физико-химические свойства слоев низкотемпературного GaAs, созданных методом импульсного лазерного напыления”, Письма в ЖТФ, 49:4 (2023), 11–14 |
|
2019 |
| 5. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1233–1236 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, D. A. Pavlov, I. Yu. Pashen'kin, A. A. Sushkov, “On the combined application of raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy for the diagnostics of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210 |
1
|
|
2018 |
| 6. |
С. Ю. Зубков, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, Д. А. Павлов, М. Е. Шенина, “Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 591–595 ; S. Yu. Zubkov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, R. N. Kriukov, D. E. Nikolichev, D. A. Pavlov, M. E. Shenina, “X-ray photoelectron spectroscopy of stabilized zirconia films with embedded Au nanoparticles formed under irradiation with gold ions”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 598–602 |
1
|
|
2016 |
| 7. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
|
2014 |
| 8. |
М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, “Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом”, ЖТФ, 84:12 (2014), 102–106 ; M. V. Dorokhin, E. I. Malysheva, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, D. E. Nikolichev, A. V. Boryakov, S. Yu. Zubkov, “Spin injection of electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs light-emitting diode structures with a tunnel junction”, Tech. Phys., 59:12 (2014), 1839–1843 |
2
|
| 9. |
Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, “Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 839–844 ; D. E. Nikolichev, A. V. Boryakov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, “Chemical and phase composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes”, Semiconductors, 48:6 (2014), 815–820 |
3
|
|
