|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. М. Титова, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, А. В. Зайцев, Н. А. Алябина, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 719–724   |
|
2022 |
| 2. |
А. М. Титова, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. А. Алябина, А. В. Здоровейщев, В. Г. Шенгуров, “Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на $n^+$-Si(001)-подложках”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 839–843 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
В. Г. Шенгуров, Д. О. Филатов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. А. Алябина, А. В. Зайцев, “Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1267–1270 ; V. G. Shengurov, D. O. Filatov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. A. Alyabina, A. V. Zaitsev, “Tunnel diodes based on $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001) epitaxial structures grown by the hot-wire chemical vapor deposition”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1238–1241 |
1
|
|
2016 |
| 4. |
Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина, “Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 94–101 ; D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, “A random telegraph signal in tunneling silicon $p$–$n$ junctions with GeSi nanoislands”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 435–437 |
|
2015 |
| 5. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина, Д. В. Гусейнов, В. Н. Трушин, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, М. М. Иванова, А. В. Круглов, Д. О. Филатов, “Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1411–1414 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, D. V. Guseinov, V. N. Trushin, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, M. M. Ivanova, A. V. Kruglov, D. O. Filatov, “Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1365–1368 |
9
|
| 6. |
Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. В. Гусейнов, Н. А. Алябина, М. М. Иванова, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, “Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 399–405 ; D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. V. Guseinov, N. A. Alyabina, M. M. Ivanova, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Photodiodes based on self-assembled GeSi/Si(001) nanoisland arrays grown by the combined sublimation molecular-beam epitaxy of silicon and vapor-phase epitaxy of germanium”, Semiconductors, 49:3 (2015), 387–393 |
5
|
|
