|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. Н. Софронов, Р. М. Балагула, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, А. А. Тонких, А. А. Саркисян, Д. Б. Айрапетян, Л. С. Петросян, Э. М. Казарян, “Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 63–67   ; A. N. Sofronov, R. M. Balagula, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, A. A. Tonkikh, A. A. Sarkisyan, D. B. Hayrapetyan, L. S. Petrosyan, E. M. Kazaryan, “Absorption of far-infrared radiation in Ge/Si quantum dots”, Semiconductors, 52:1 (2018), 59–63 |
10
|
|
2017 |
| 2. |
Р. М. Балагула, М. Я. Винниченко, И. С. Махов, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, “Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона в структурах с двойными квантовыми ямами в продольном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 378–382 ; R. M. Balagula, M. Ya. Vinnichenko, I. S. Makhov, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, “Phase modulation of mid-infrared radiation in double-quantum-well structures under a lateral electric field”, Semiconductors, 51:3 (2017), 363–366 |
6
|
|
2016 |
| 3. |
Р. М. Балагула, М. Я. Винниченко, И. С. Махов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, “Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1445–1450 ; R. M. Balagula, M. Ya. Vinnichenko, I. S. Makhov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, “Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1425–1430 |
10
|
|
2015 |
| 4. |
Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, М. Я. Винниченко, Р. М. Балагула, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, “Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1473–1477 ; D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, M. Ya. Vinnichenko, R. M. Balagula, M. M. Kulagina, A. P. Vasil'ev, “Effect of transverse electric field and temperature on light absorption in GaAs/AlGaAs tunnel-coupled quantum wells”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1425–1429 |
11
|
| 5. |
Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Р. М. Балагула, И. С. Махов, Д. В. Козлов, А. П. Васильев, “Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 30–34 ; D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, V. Yu. Panevin, A. N. Sofronov, R. M. Balagula, I. S. Makhov, D. V. Kozlov, A. P. Vasil'ev, “Terahertz radiation associated with the impurity electron transition in quantum wells upon optical and electrical pumping”, Semiconductors, 49:1 (2015), 28–32 |
19
|
|
2013 |
| 6. |
В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, М. Я. Винниченко, Р. М. Балагула, А. А. Тонких, P. Werner, B. Fuhrmann, G. Schmidt, “Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1599–1603 ; V. Yu. Panevin, A. N. Sofronov, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, M. Ya. Vinnichenko, R. M. Balagula, A. A. Tonkikh, P. Werner, B. Fuhrmann, G. Schmidt, “Lateral photoconductivity in structures with Ge/Si quantum dots”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1574–1577 |
13
|
| 7. |
М. Я. Винниченко, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. О. Машко, Р. М. Балагула, G. L. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze, “Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1526–1529 ; M. Ya. Vinnichenko, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, M. O. Mashko, R. M. Balagula, G. L. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze, “Dependence of the carrier concentration on the current in mid-infrared injection lasers with quantum wells”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1513–1516 |
4
|
|
