|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
С. Д. Федотов, В. Н. Стаценко, Н. Н. Егоров, С. А. Голубков, “Влияние твердофазной рекристаллизации с двойной имплантацией на плотность структурных дефектов в ультратонких слоях кремния на сапфире”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2349–2354   ; S. D. Fedotov, V. N. Statsenko, N. N. Egorov, S. A. Golubkov, “Effect of solid-state epitaxial recrystallization on defect density in ultrathin silicon-on-sapphire layers”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2353–2358 |
1
|
|
2014 |
| 2. |
А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш, С. А. Голубков, Н. Н. Егоров, А. И. Сидоров, “Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 535–538 ; A. A. Shemukhin, Yu. V. Balakshin, V. S. Chernysh, S. A. Golubkov, N. N. Egorov, A. I. Sidorov, “Defect formation and recrystallization mechanisms in silicon-on-sapphire films under ion irradiation”, Semiconductors, 48:4 (2014), 517–520 |
11
|
|
2012 |
| 3. |
А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш, А. С. Патракеев, С. А. Голубков, Н. Н. Егоров, А. И. Сидоров, Б. А. Малюков, В. Н. Стаценко, В. Д. Чумак, “Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 83–89 ; A. A. Shemukhin, Yu. V. Balakshin, V. S. Chernysh, A. S. Patrakeev, S. A. Golubkov, N. N. Egorov, A. I. Sidorov, B. A. Malyukov, V. N. Statsenko, V. D. Chumak, “Fabrication of ultrafine silicon layers on sapphire”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 907–909 |
14
|
|
