|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
П. В. Середин, А. М. Мизеров, Н. А. Курило, С. А. Кукушкин, Д. Л. Голощапов, Н. С. Буйлов, А. С. Леньшин, Д. Н. Нестеров, М. С. Соболев, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, “Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности”, ЖТФ, 94:1 (2024), 138–150   |
|
2022 |
| 2. |
П. В. Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Н. С. Буйлов, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Ш. Шарофидинов, Л. С. Вавилова, С. А. Кукушкин, И. А. Касаткин, “Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 547–552 |
|
2018 |
| 3. |
В. А. Терехов, Д. С. Усольцева, О. В. Сербин, И. Е. Занин, Т. В. Куликова, Д. Н. Нестеров, К. А. Барков, А. В. Ситников, С. К. Лазарук, Э. П. Домашевская, “Особенности фазообразования и электронного строения в пленочных композитах Al$_{1-x}$Si$_{x}$ при магнетронном и ионно-лучевом напылении”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 1005–1011 ; V. A. Terekhov, D. S. Usol'tseva, O. V. Serbin, I. E. Zanin, T. V. Kulikova, D. N. Nesterov, K. A. Barkov, A. V. Sitnikov, S. K. Lazaruk, È. P. Domashevskaya, “Phase formation and electronic structure peculiarities in the Al$_{1-x}$Si$_{x}$ film composites under the conditions of magnetron and ion-beam sputtering”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 1021–1028 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, А. В. Ершов, А. И. Машин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 363–366 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. A. Koyuda, A. V. Ershov, A. I. Mashin, E. V. Parinova, D. N. Nesterov, D. A. Grachev, I. A. Karabanova, È. P. Domashevskaya, “Formation of silicon nanocrystals in multilayer nanoperiodic $a$-SiO$_{x}$/insulator structures from the results of synchrotron investigations”, Semiconductors, 51:3 (2017), 349–352 |
5
|
|
2015 |
| 5. |
О. А. Чувенкова, Э. П. Домашевская, С. В. Рябцев, Ю. А. Юраков, А. Е. Попов, Д. А. Коюда, Д. Н. Нестеров, Д. Е. Спирин, Р. Ю. Овсянников, С. Ю. Турищев, “Исследование поверхностных дефектов в нитевидных кристаллах SnO$_2$ методами XANES и XPS”, Физика твердого тела, 57:1 (2015), 145–152 ; O. A. Chuvenkova, È. P. Domashevskaya, S. V. Ryabtsev, Yu. A. Yurakov, A. E. Popov, D. A. Koyuda, D. N. Nesterov, D. E. Spirin, R. Yu. Ovsyannikov, S. Yu. Turishchev, “XANES and XPS investigations of surface defects in wire-like SnO$_2$ crystals”, Phys. Solid State, 57:1 (2015), 153–161 |
46
|
| 6. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, Д. Е. Спирин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, А. В. Ершов, А. И. Машин, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 421–425 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. A. Koyuda, D. E. Spirin, E. V. Parinova, D. N. Nesterov, D. A. Grachev, I. A. Karabanova, A. V. Ershov, A. I. Mashin, È. P. Domashevskaya, “Formation of Si nanocrystals in multilayered nanoperiodic Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100) structures: Synchrotron and photoluminescence data”, Semiconductors, 49:3 (2015), 409–413 |
4
|
| 7. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. Н. Нестеров, К. Г. Колтыгина, В. А. Сиваков, Э. П. Домашевская, “Особенности атомного и электронного строения нитевидного кремния, сформированного на подложках с различным удельным сопротивлением по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии”, Письма в ЖТФ, 41:7 (2015), 81–88 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. N. Nesterov, K. G. Koltygina, V. A. Sivakov, È. P. Domashevskaya, “Atomic and electronic structure peculiarities of silicon wires formed on substrates with varied resistivity according to ultrasoft X-ray emission spectroscopy”, Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 344–347 |
5
|
|
