|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017), 315–318   ; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 |
3
|
|
2015 |
| 2. |
Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 1003–1006 ; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, V. V. Parashchuk, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, P. V. Shpak, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide”, Semiconductors, 49:7 (2015), 980–983 |
7
|
|
|
|
2013 |
| 3. |
Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, А. В. Григорьев, В. М. Зеленковский, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, “Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2050–2053 ; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, A. V. Grigor'ev, V. M. Zelenkovskii, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, “Point defects and amplification in active layers of InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2165–2168 |
3
|
|
