|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Д. С. Королев, А. А. Никольская, Н. О. Кривулин, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Н. А. Соболев, M. Kumar, “Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 87–92  ; D. S. Korolev, A. A. Nikolskaya, N. O. Krivulin, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, N. A. Sobolev, M. Kumar, “Formation of hexagonal 9$R$ silicon polytype by ion implantation”, Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 767–769 |
9
|
|
2015 |
| 2. |
Н. О. Кривулин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 160–162  ; N. O. Krivulin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire”, Semiconductors, 49:2 (2015), 154–156 |
1
|
| 3. |
Д. А. Павлов, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, “Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 98–101 ; D. A. Pavlov, A. V. Pirogov, N. O. Krivulin, A. I. Bobrov, “Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire”, Semiconductors, 49:1 (2015), 95–98 |
7
|
|
2013 |
| 4. |
Н. О. Кривулин, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, “Модель роста наноостровков кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1621–1623 ; N. O. Krivulin, D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, “Growth model of silicon nanoislands on sapphire”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1595–1597 |
2
|
| 5. |
Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, М. Д. Пегасина, “Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 854–858 ; D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, A. V. Pirogov, N. O. Krivulin, A. I. Bobrov, M. D. Pegasina, “Analysis of the growth dependences of silicon-on-sapphire heteroepitaxy”, Semiconductors, 47:6 (2013), 865–869 |
|
