|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, С. А. Витусевич, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, А. С. Пилипчук, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 82–87   ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, A. S. Pilipchuk, “The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 649–651 |
2
|
|
2012 |
| 2. |
А. Е. Беляев, А. В. Саченко, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, Л. А. Матвеева, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, “Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP)”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 558–561 ; A. E. Belyaev, A. V. Sachenko, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, L. A. Matveeva, V. V. Milenin, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, “Effect of microwave irradiation on the resistance of Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP) ohmic contacts”, Semiconductors, 46:4 (2012), 541–544 |
2
|
| 3. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, А. В. Бобыль, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, Д. А. Саксеев, И. С. Тарасов, В. Н. Шеремет, М. А. Яговкина, “Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 348–355 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, A. V. Bobyl', N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, S. V. Novitskii, D. A. Sakseev, I. S. Tarasov, V. N. Sheremet, M. A. Yagovkina, “Temperature dependence of the contact resistance of ohmic contacts to III–V compounds with a high dislocation density”, Semiconductors, 46:3 (2012), 334–341 |
9
|
|
