|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
С. И. Мехтиева, С. У. Атаева, А. И. Исаев, В. З. Зейналов, “Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 809–814   ; S. I. Mekhtieva, S. U. Atayeva, A. I. Isayev, V. Z. Zeynalov, “Influence of the samarium impurity on the structure and surface morphology of Se$_{95}$Te$_{5}$ chalcogenide glassy semiconductor”, Semiconductors, 51:6 (2017), 777–782 |
|
2014 |
| 2. |
С. И. Мехтиева, А. И. Исаев, С. У. Атаева, В. З. Зейналов, “Особенности локальной структуры халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1182–1185 ; S. I. Mekhtieva, A. I. Isayev, S. U. Atayeva, V. Z. Zeynalov, “Features of the local structure of the Se$_{95}$Te$_5$ chalcogenide vitreous semiconductor doped with samarium”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1151–1154 |
1
|
| 3. |
А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова, В. З. Зейналов, “Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$ с примесью EuF$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 158–162 ; A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, S. N. Garibova, V. Z. Zeynalov, “Role of charged defects in the photoconductivity of Se$_{95}$As$_5$ chalcogenide glassy semiconductor with the EuF$_3$ impurity”, Semiconductors, 48:2 (2014), 148–151 |
|
2012 |
| 4. |
А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова, В. З. Зейналов, “Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF$_3$, в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1138–1142 ; A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, S. N. Garibova, V. Z. Zeynalov, “Conductivity of Se$_{95}$As$_5$ chalcogenide glassy semiconductor layers containing the EuF$_3$ rare-earth impurity in high electric fields”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1114–1118 |
2
|
|
