|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Д. А. Грачев, А. В. Ершов, И. А. Карабанова, А. В. Пирогов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. А. Павлов, “Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$”, Физика твердого тела, 59:5 (2017), 965–971   ; D. A. Grachev, A. V. Ershov, I. A. Karabanova, A. V. Pirogov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. A. Pavlov, “Influence of the deposition and annealing temperatures on the luminescence of germanium nanocrystals formed in GeO$_{x}$ films and multilayer Ge/SiO$_{2}$ structures”, Phys. Solid State, 59:5 (2017), 992–998 |
|
2016 |
| 2. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
|
2015 |
| 3. |
Н. О. Кривулин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 160–162 ; N. O. Krivulin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire”, Semiconductors, 49:2 (2015), 154–156 |
1
|
| 4. |
Д. А. Павлов, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, “Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 98–101 ; D. A. Pavlov, A. V. Pirogov, N. O. Krivulin, A. I. Bobrov, “Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire”, Semiconductors, 49:1 (2015), 95–98 |
7
|
| 5. |
Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, С. М. Некоркин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, “Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 11–14 ; N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, S. M. Nekorkin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, “Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer”, Semiconductors, 49:1 (2015), 9–12 |
2
|
|
2013 |
| 6. |
Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, М. Д. Пегасина, “Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 854–858 ; D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, A. V. Pirogov, N. O. Krivulin, A. I. Bobrov, M. D. Pegasina, “Analysis of the growth dependences of silicon-on-sapphire heteroepitaxy”, Semiconductors, 47:6 (2013), 865–869 |
|
