|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Е. А. Тарасова, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, Ю. Н. Свешников, В. И. Егоркин, В. А. Иванов, Г. В. Медведев, Д. С. Смотрин, “Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 331–338   ; E. A. Tarasova, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, Yu. N. Sveshnikov, V. I. Egorkin, V. A. Ivanov, G. V. Medvedev, D. S. Smotrin, “Study of the electron distribution in GaN and GaAs after $\gamma$-neutron irradiation”, Semiconductors, 50:3 (2016), 326–333 |
6
|
|
2014 |
| 2. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Л. М. Капитанчук, В. Н. Шеремет, Ю. Н. Свешников, А. С. Пилипчук, “Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1344–1347 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, L. M. Kapitanchuk, V. N. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov, A. S. Pilipchuk, “Mechanism of current flow in a Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN ohmic contact in the temperature range of 4.2–300 K”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1308–1311 |
3
|
|
2012 |
| 3. |
Г. И. Кольцов, С. И. Диденко, А. В. Черных, С. В. Черных, А. П. Чубенко, Ю. Н. Свешников, “Контакты Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям GaAs для детекторов частиц и квантов”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1088–1093 ; G. I. Koltsov, S. I. Didenko, A. V. Chernykh, S. V. Chernykh, A. P. Chubenko, Yu. N. Sveshnikov, “Schottky contacts to high-resistivity epitaxial GaAs layers for detectors of particles and X- or $\gamma$-ray photons”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1066–1071 |
7
|
| 4. |
А. Е. Беляев, Н. И. Клюй, Р. В. Конакова, А. Н. Лукьянов, Б. А. Данильченко, Ю. Н. Свешников, А. Н. Клюй, “Исследование методом электроотражения влияния $\gamma$-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 317–320 ; A. E. Belyaev, N. I. Klyui, R. V. Konakova, A. N. Lukyanov, B. A. Danil'chenko, Yu. N. Sveshnikov, A. N. Klyui, “Electroreflectance study of the effect of $\gamma$ radiation on the optical properties of epitaxial GaN films”, Semiconductors, 46:3 (2012), 302–305 |
3
|
|
