|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, В. Г. Лапин, С. В. Щербаков, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, А. А. Капралова, “Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 81–87   ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, V. G. Lapin, S. V. Sherbakov, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, A. A. Kapralova, “Adjusting the position of the optimum operating point of a power heterostructure field-effect transistor by forming a gate potential barrier based on a donor-acceptor structure”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 142–145 |
2
|
|
2014 |
| 2. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова, “Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 684–692 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, E. I. Golant, A. A. Kapralova, “Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping”, Semiconductors, 48:5 (2014), 666–674 |
26
|
|
