|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. С. Кюрегян, “Возбуждение лазеров на парах меди прямым разрядом накопительного конденсатора через быстродействующие фототиристоры”, Оптика и спектроскопия, 126:4 (2019), 471–476   ; A. S. Kyuregyan, “Excitation of copper vapor lasers by storage capacitor direct discharge via high-speed photothyristors”, Optics and Spectroscopy, 126:4 (2019), 388–393 |
1
|
| 2. |
А. С. Кюрегян, “Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II. Теория”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 985–990 ; A. S. Kyuregyan, “High voltage diffused step recovery diodes. II. Theory”, Semiconductors, 53:7 (2019), 969–974 |
2
|
| 3. |
А. С. Кюрегян, “Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. I. Численное моделирование”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 978–984 ; A. S. Kyuregyan, “High voltage diffused step recovery diodes. I. Numerical simulation”, Semiconductors, 53:7 (2019), 962–968 |
2
|
| 4. |
А. С. Кюрегян, “Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами III. Эффекты саморазогрева”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 528–532 ; A. S. Kyuregyan, “High-power nano- and picosecond optoelectronic switches based on high-voltage silicon structures with $p$–$n$ junctions. III. Self-heating effects”, Semiconductors, 53:4 (2019), 519–523 |
1
|
| 5. |
А. С. Кюрегян, “Ударная электромагнитная волна большой амплитуды в нелинейной линии передачи на основе распределенного полупроводникового диода”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 520–527 ; A. S. Kyuregyan, “Large-amplitude shock electromagnetic wave in a nonlinear transmission line based on a distributed semiconductor diode”, Semiconductors, 53:4 (2019), 511–518 |
5
|
|
2018 |
| 6. |
А. С. Кюрегян, “Оптимальное легирование диодных прерывателей тока”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 359–365 ; A. S. Kyuregyan, “Optimal doping of diode current interrupters”, Semiconductors, 52:3 (2018), 341–347 |
|
2017 |
| 7. |
А. С. Кюрегян, “Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами. II. Энергетическая эффективность”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1263–1266 ; A. S. Kyuregyan, “High-power nano- and picosecond optoelectronic switches based on high-voltage silicon structures with $p$–$n$ junctions: II. Energy efficiency”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1214–1217 |
2
|
| 8. |
А. С. Кюрегян, “Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами. I. Физика процесса переключения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1257–1262 ; A. S. Kyuregyan, “High-power nano- and picosecond optoelectronic switches based on high-voltage silicon structures with $p$–$n$ junctions: I. Physics of the switching process”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1208–1213 |
3
|
|
2016 |
| 9. |
А. С. Кюрегян, А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 973–978 ; A. S. Kyuregyan, A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Effect of the anode-emitter injection efficiency on the characteristics of hybrid SIT–MOS transistors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 957–962 |
2
|
| 10. |
А. С. Кюрегян, “Об измерениях коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 293–297 ; A. S. Kyuregyan, “On measurements of the electrons and holes impact-ionization coefficients in 4$H$–SiC”, Semiconductors, 50:3 (2016), 289–294 |
1
|
|
2015 |
| 11. |
А. С. Кюрегян, “Лавинный режим переключения перенапряженных высоковольтных $p^+$–$i$–$n^+$-диодов в проводящее состояние при импульсном освещении”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 989–993 ; A. S. Kyuregyan, “Avalanche mode of high-voltage overloaded $p^+$–$i$–$n^+$ diode switching to the conductive state by pulsed illumination”, Semiconductors, 49:7 (2015), 967–971 |
1
|
|
2014 |
| 12. |
А. С. Кюрегян, “Пикосекундное переключение высоковольтных обратносмещенных $p^+$–$n$–$n^+$-структур в проводящее состояние при импульсном освещении”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1686–1692 ; A. S. Kyuregyan, “Picosecond switching of high-voltage reverse-biased $p^+$–$n$–$n^+$ structures to the conductive state by pulsed light”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1645–1652 |
5
|
|
2013 |
| 13. |
А. С. Кюрегян, “Теория стационарных плоских волн туннельно-ударной ионизации”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 970–978 ; A. S. Kyuregyan, “Theory of steady-state plane tunneling-assisted impact ionization waves”, Semiconductors, 47:7 (2013), 978–986 |
4
|
|
2007 |
| 14. |
А. С. Кюрегян, “Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 86:5 (2007), 360–364 ; A. S. Kyuregyan, “Effect of diffusion on the velocity of stationary impact ionization waves in semiconductors”, JETP Letters, 86:5 (2007), 308–312   |
13
|
|
1990 |
| 15. |
А. С. Кюрегян, “Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей
на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1162–1168 |
| 16. |
Л. А. Кирдяшкина, А. С. Кюрегян, П. Н. Шлыгин, С. Н. Юрков, “Ударная ионизация в кремнии, выращенном различными методами”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 560–563 |
|
1989 |
| 17. |
А. С. Кюрегян, С. Н. Юрков, “Напряжение лавинного пробоя $p{-}n$-переходов на основе Si,
Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1819–1827 |
| 18. |
А. С. Кюрегян, П. Н. Шлыгин, “Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя
$p{-}n$-переходов с глубокими уровнями”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1164–1172 |
| 19. |
А. С. Кюрегян, “Прыжковая генерация носителей заряда в истощенных слоях
полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 110–116 |
|
1988 |
| 20. |
А. С. Кюрегян, “Функция распределения электронов в одномерных металлах в сильных электрических полях”, Физика твердого тела, 30:1 (1988), 236–238 |
| 21. |
А. С. Кюрегян, “Поперечный перенос электронов и дырок при лавинном умножении
в полупроводниковых приборах”, ЖТФ, 58:1 (1988), 172–174 |
| 22. |
А. С. Кюрегян, “Ударная ионизация и лавинное умножение в классических
полупроводниковых сверхрешетках”, Письма в ЖТФ, 14:24 (1988), 2278–2282 |
|
1987 |
| 23. |
А. С. Кюрегян, “Дифференциальное сопротивление $p{-}n$-переходов с глубокими уровнями
при лавинном пробое”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 941–944 |
| 24. |
А. С. Кюрегян, Ю. Г. Сорокин, “Статическая электропроводность кремния в сильном электрическом поле,
вызванная прямолинейными дислокациями”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 362–364 |
|
1985 |
| 25. |
В. А. Кузьмин, А. С. Кюрегян, Ю. Г. Сорокин, В. В. Федоров, О. В. Богородский, Т. П. Воронцова, О. С. Жгутова, В. А. Злобин, Л. А. Кирдяшкина, Ю. М. Локтаев, Л. С. Рыбачук, П. Н. Шлыгин, “Исследование механизмов снижения напряжения пробоя кремниевых
высоковольтных многослойных структур”, ЖТФ, 55:7 (1985), 1419–1425 |
|
|
|
1987 |
| 26. |
А. С. Кюрегян, Ю. Г. Сорокин, “Исправление к статье «Статическая электропроводность кремния в сильном электрическом поле, вызванная прямолинейными дислокациями»”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 957 ; A. S. Kyuregyan, Yu. G. Sorokin, “Correction”, Semiconductors, 21:5 (1987), 584 |
|
