|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. С. Гусев, “Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 654–658   |
|
2020 |
| 2. |
А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1134–1138 ; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of lithium donors in bulk single-crystal isotopically pure $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1336–1340 |
1
|
| 3. |
А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 933–937 ; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of phosphorus donors in bulk single-crystal monoisotopic $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1123–1126 |
2
|
|
2016 |
| 4. |
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353 ; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 |
4
|
|
2013 |
| 5. |
А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гуссейнов, В. А. Гавва, А. В. Гусев, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 168–173 ; A. A. Ezhevskii, S. A. Popkov, A. V. Soukhorukov, D. V. Guseinov, V. A. Gavva, A. V. Gusev, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Monoisotopic silicon $^{28}$Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors”, Semiconductors, 47:2 (2013), 203–208 |
3
|
|
2012 |
| 6. |
А. А. Конаков, В. А. Бурдов, А. А. Ежевский, А. В. Сухоруков, Д. В. Гусейнов, С. А. Попков, “Температурная перенормировка $g$-фактора электронов проводимости в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1604–1608 |
| 7. |
А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гусейнов, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1468–1474 ; A. A. Ezhevskii, S. A. Popkov, A. V. Soukhorukov, D. V. Guseinov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Investigation of the structure of the ground state of lithium donor centers in silicon enriched in $^{28}$Si isotope and the influence of internal strain in the crystal on this structure”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1437–1442 |
4
|
|
2009 |
| 8. |
Б. А. Андреев, А. А. Ежевский, Н. В. Абросимов, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль, “Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы”, Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009), 501–504 ; B. A. Andreev, A. A. Ezhevskii, N. V. Abrosimov, P. G. Sennikov, H. Pol, “Dependence of the energy of the resonance states of an acceptor in silicon on the host isotopic mass”, JETP Letters, 90:6 (2009), 455–458   |
|
