|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Э. И. Моисеев, С. Д. Комаров, К. А. Иванов, А. Ф. Цацульников, Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, А. В. Сахаров, Д. С. Артеев, А. Е. Николаев, Е. Е. Заварин, Д. А. Масютин, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, И. П. Смирнова, Л. К. Марков, А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, “Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии”, Письма в ЖТФ, 51:11 (2025), 41–45   |
|
2024 |
| 2. |
В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, Е. В. Луценко, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, I. Forbes, М. В. Якушев, “Влияние интенсивности возбуждения и температуры на фотолюминесценцию тонких пленок соединения Cu$_2$ZnSnSe$_4$”, Физика твердого тела, 66:10 (2024), 1699–1707 |
| 3. |
А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, Д. С. Буренина, И. П. Смирнова, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, А. И. Лихачёв, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, К. К. Прудченко, А. В. Нагорный, Е. В. Луценко, В. Н. Жмерик, “Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 16–19 |
|
2020 |
| 4. |
И. Е. Свитенков, В. Н. Павловский, Е. В. Муравицкая, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, М. В. Якушев, С. О. Когновицкий, “Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ в составе солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1058–1065 ; I. E. Svitsiankou, V. N. Pavlovskii, E. V. Muravitskaya, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, M. V. Yakushev, S. O. Kognovitckii, “Spontaneous and stimulated emission in thin films of Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ solid solutions in the сomposition of solar cells”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1247–1253 |
|
2019 |
| 5. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. В. Нагорный, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, А. Н. Алексеев, С. И. Петров, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, В. А. Солодуха, “Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 540–544 [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. G. Voinilovich, I. E. Svitsiankou, A. V. Nagorny, V. A. Shulenkova, G. P. Yablonskii, A. N. Alekseev, S. I. Petrov, Ya. A. Solov'ev, A. N. Pyatlitski, D. V. Zhigulin, V. A. Solodukha, “Stimulated emission of AlGaN layers grown on sapphire substrates using ammonia molecular beam epitaxy”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 540–544   ] |
3
|
| 6. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Нагорный, А. В. Данильчик, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 535–539 [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. V. Nagorny, A. V. Danil'chik, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Stimulated emission, photoluminescence, and localisation of nonequilibrium charge carriers in ultrathin (monolayer) GaN/AlN quantum wells”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 535–539 ] |
4
|
|
2018 |
| 7. |
И. Е. Свитенков, В. Н. Павловский, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, В. Я. Ширипов, Е. А. Хохлов, А. В. Мудрый, В. Д. Живулько, О. М. Бородавченко, М. В. Якушев, “Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1120–1125 ; I. E. Svitsiankou, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, V. Y. Shiripov, E. A. Khokhlov, A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko, O. M. Borodavchenko, M. V. Yakushev, “Luminescence and stimulated emission of polycrystalline Cu(In,Ga)Se$_{2}$ films deposited by magnetron-assisted sputtering”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1238–1243 |
|
2016 |
| 8. |
Н. В. Кузнецова, Д. В. Нечаев, Н. М. Шмидт, С. Ю. Карпов, Н. В. Ржеуцкий, В. Е. Земляков, В. Х. Кайбышев, Д. Ю. Казанцев, С. И. Трошков, В. И. Егоркин, Б. Я. Бер, Е. В. Луценко, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 57–63 ; N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 |
9
|
|
2015 |
| 9. |
С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, М. В. Рахлин, М. В. Байдакова, П. С. Копьев, А. Г. Вайнилович, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, С. С. Рувимов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 342–348 ; S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, M. V. Rakhlin, M. V. Baidakova, P. S. Kop'ev, A. G. Vainilovich, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, S. S. Ruvimov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of heterostructures of wide-gap II–VI compounds for low-threshold lasers with optical and electron pumping”, Semiconductors, 49:3 (2015), 331–336 |
15
|
|
2013 |
| 10. |
Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 418–422 [E. V. Lutsenko, A. G. Voinilovich, N. V. Rzheutskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, M. Alanzi, A. Hamidalddin, A. Alyamani, “Optically pumped quantum-dot Cd(Zn)Se/ZnSe laser and microchip converter for yellow–green spectral region”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 418–422 ] |
13
|
|
2010 |
| 11. |
Г. Е. Малашкевич, В. Н. Сигаев, Н. В. Голубев, Е. Х. Мамаджанова, А. В. Данильчик, В. З. Зубелевич, Е. В. Луценко, “Перестройка оптических центров и стимулированное излучение Eu$^{3+}$ в поликристаллах хантита при оптическом и электронном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 92:8 (2010), 547–552 ; G. E. Malashkevich, V. N. Sigaev, N. V. Golubev, E. Kh. Mamadzhanova, A. V. Danil'chik, V. Z. Zubelevich, E. V. Lutsenko, “Rearrangement of optical centers and stimulated radiation of Eu<sup>3+</sup> in polycrystalline huntite under optical and electron-beam excitation”, JETP Letters, 92:8 (2010), 497–501 |
19
|
|
1992 |
| 12. |
А. Л. Гурский, Е. В. Луценко, Н. К. Морозова, Г. П. Яблонский, “Примесная люминесценция монокристаллов ZnS : O при высоких уровнях фото- и стримерного возбуждения”, Физика твердого тела, 34:11 (1992), 3530–3536 |
| 13. |
В. П. Грибковский, А. А. Гладыщук, А. Л. Гурский, Е. В. Луценко, Н. К. Морозова, Т. С. Шульга, Г. П. Яблонский, “Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1920–1927 |
|
|
|
2013 |
| 14. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, В. В. Ратников, Я. В. Кузнецова, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2058–2066 ; E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, D. V. Nechaev, A. A. Sitnikova, V. V. Ratnikov, Ya. V. Kuznetsova, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Spontaneous and stimulated emission in the mid-ultraviolet range of quantum-well heterostructures based on AlGaN compounds grown by molecular beam epitaxy on $c$-sapphire substrates”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2173–2181 |
10
|
|
