|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
К. В. Феклистов, А. Г. Черков, В. П. Попов, Л. И. Федина, “Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1589–1596   ; K. V. Feklistov, A. G. Cherkov, V. P. Popov, L. I. Fedina, “Redistribution of erbium and oxygen recoil atoms and the structure of silicon thin surface layers formed by high-dose argon implantation through Er and SiO$_{2}$ surface films”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1696–1703 |
|
2017 |
| 2. |
И. Е. Тысченко, А. Г. Черков, “Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO$_{2}$ в условиях ионного синтеза под высоким давлением”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1414–1419 ; I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov, “Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO$_{2}$ films under conditions of ion synthesis at high pressure”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1364–1369 |
| 3. |
И. Е. Тысченко, А. Г. Черков, В. А. Володин, M. Voelskow, “Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1289–1294 ; I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov, V. A. Volodin, M. Voelskow, “Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO$_{2}$ thin films”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1240–1246 |
1
|
|
2014 |
| 4. |
И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1228–1233 ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, A. G. Cherkov, V. P. Popov, “Ion-beam synthesis of InSb nanocrystals in the buried SiO$_2$ layer of a silicon-on-insulator structure”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1196–1201 |
12
|
|
2013 |
| 5. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 591–597 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, M. Voelskow, A. G. Cherkov, V. P. Popov, “Crystallization induced by thermal annealing with millisecond pulses in silicon-on-insulator films implanted with high doses of hydrogen ions”, Semiconductors, 47:5 (2013), 606–611 |
1
|
| 6. |
Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин, В. А. Володин, А. Г. Черков, А. Х. Антоненко, Г. Н. Камаев, В. А. Скуратов, “Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 334–339 ; G. A. Kachurin, S. G. Cherkova, D. V. Marin, V. A. Volodin, A. G. Cherkov, A. Kh. Antonenko, G. N. Kamaev, V. A. Skuratov, “Influence of irradiation with swift heavy ions on multilayer Si/SiO$_2$ heterostructures”, Semiconductors, 47:3 (2013), 358–364 |
3
|
|
2011 |
| 7. |
V. A. Volodin, A. S. Kacko, A. G. Cherkov, A. V. Latyshev, J. Koch, B. N. Chichkov, “Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 665–668   ; JETP Letters, 93:10 (2011), 603–606 |
12
|
|
2007 |
| 8. |
В. А. Володин, М. Д. Ефремов, Г. А. Качурин, А. Г. Черков, M. Deutschmann, N. Baersch, “Фазовые переходы в пленках $a$-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов”, Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007), 128–131 ; V. A. Volodin, M. D. Efremov, G. A. Kachurin, A. G. Cherkov, M. Deutschmann, N. Baersch, “Phase transitions in $a$-Si:H films on a glass irradiated by high-power femtosecond pulses: Manifestation of nonlinear and nonthermal effects”, JETP Letters, 86:2 (2007), 119–122 |
19
|
|
