|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин, “Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1503–1506   ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, N. A. Bogoslovskii, K. D. Tsendin, “Estimation of the temperature of the current filament that forms upon switching in GeSbTe”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1607–1610 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Д. Арсова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, О. Ю. Приходько, “Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 958–962 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, D. Arsova, S. A. Kozyukhin, K. D. Tsendin, O. Yu. Prikhodko, “Voltage oscillations in the case of the switching effect in thin layers of Ge–Sb–Te chalcogenides in the current mode”, Semiconductors, 50:7 (2016), 941–946 |
1
|
| 3. |
Н. А. Богословский, П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, Н. С. Аверкиев, К. Д. Цэндин, “Влияние кулоновских корреляций на люминесценцию и поглощение в компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 905–910 ; N. A. Bogoslovskii, P. V. Petrov, Yu. L. Ivanov, N. S. Averkiev, K. D. Tsendin, “Effect of Coulomb correlations on luminescence and absorption in compensated semiconductors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 888–893 |
2
|
|
2014 |
| 4. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева, “Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока”, ЖТФ, 84:4 (2014), 80–84 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, S. A. Kozyukhin, K. D. Tsendin, D. Arsova, V. Pamukchieva, “Current-voltage characteristics of thin Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ films taken using a measuring circuit with a current source”, Tech. Phys., 59:4 (2014), 546–550 |
9
|
|
2012 |
| 5. |
Н. Ж. Алмасов, О. Ю. Приходько, К. Д. Цэндин, “Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As$_2$Se$_3$:Bi, полученных двумя различными методами”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1319–1321 ; N. G. Almasov, O. Yu. Prikhodko, K. D. Tsendin, “Inversion of the impurity conductivity sign in As$_2$Se$_3$:Bi films deposited by two different methods”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1296–1298 |
| 6. |
Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин, “Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 577–608 ; N. A. Bogoslovskii, K. D. Tsendin, “Physics of switching and memory effects in chalcogenide glassy semiconductors”, Semiconductors, 46:5 (2012), 559–690 |
65
|
|
2004 |
| 7. |
К. Д. Цэндин, Д. В. Денисов, Б. П. Попов, “Единая модель псевдощелевых особенностей проводимости в ВТСП”, Письма в ЖЭТФ, 80:4 (2004), 277–283 ; K. D. Tsendin, D. V. Denisov, B. P. Popov, “Unified model of pseudogap features of conductivity in HTSCs”, JETP Letters, 80:4 (2004), 246–252  |
4
|
|
