|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Alexey A. Shutilov, Mikhail N. Simonov, Valeria E. Fedorova, Alexander S. Marchuk, Igor P. Prosvirin, Galina A. Zenkovets, “Design of highly active Ni$_x$Co$_{1-x}$Al$_2$O$_4$ ($x$ = 0.1 – 0.5) catalysts for the dry reforming of methane reaction”, Наносистемы: физика, химия, математика, 16:1 (2025), 30–43   |
| 2. |
А. В. Бухтияров, М. А. Панафидин, И. П. Просвирин, Я. В. Зубавичус, А. Ю. Стахеев, И. С. Машковский, В. И. Бухтияров, “Адсорбционно-индуцированная сегрегация в биметаллических катализаторах на основе палладия как способ управления каталитическими свойствами”, Усп. хим., 94:1 (2025), RCR5148 ; A. V. Bukhtiyarov, M. A. Panafidin, I. P. Prosvirin, Ya. V. Zubavichus, A. Yu. Stakheev, I. S. Mashkovsky, V. I. Bukhtiyarov, “Adsorption-induced segregation as a way to control the catalytic performance of palladium-based bimetallic catalysts”, Russian Chem. Reviews, 94:1 (2025), RCR5148   |
1
|
|
2024 |
| 3. |
К. Н. Астанкова, Н. А. Кислухин, И. А. Азаров, И. П. Просвирин, В. А. Володин, “Структура и кинетика диспропорционирования тонких пленок GeO”, Физика твердого тела, 66:9 (2024), 1585–1590 |
|
2023 |
| 4. |
В. А. Володин, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, С. Г. Черкова, И. П. Просвирин, “Состав и оптические свойства аморфного плазмохимического оксинитрида кремния переменного состава a-SiO$_x$N$_y$ : H”, ЖТФ, 93:4 (2023), 575–582 |
| 5. |
M. N. Lyulyukin, N. S. Kovalevskiy, I. P. Prosvirin, D. S. Selishchev, D. V. Kozlov, “Thermo-photocatalytic oxidation of benzene under visible light over nitrogen-doped titania grafted with Cu and Pt”, Mendeleev Commun., 33:4 (2023), 497–499 |
2
|
|
2022 |
| 6. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. В. Бухтияров, И. П. Просвирин, “Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора”, Физика твердого тела, 64:7 (2022), 787–793 |
| 7. |
Т. В. Перевалов, Р. М. Х. Исхакзай, И. П. Просвирин, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, “Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса”, Письма в ЖЭТФ, 115:2 (2022), 89–93 ; T. V. Perevalov, R. M. Kh. Iskhakzai, I. P. Prosvirin, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, “Forming-free memristors based on hafnium oxide processed in electron cyclotron resonance hydrogen plasma”, JETP Letters, 115:2 (2022), 79–83 |
4
|
|
2021 |
| 8. |
I. A. Chetyrin, A. V. Bukhtiyarov, I. P. Prosvirin, V. I. Bukhtiyarov, “Investigation of concentration hysteresis in methane oxidation on bimetallic Pt–Pd/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> catalyst by in situ XPS and mass spectrometry”, Mendeleev Commun., 31:5 (2021), 635–637 |
12
|
| 9. |
V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, I. P. Posvirin, Xiaoping Shi, M. R. Baklanov, “Atomic structure and optical properties of plasma enhanced chemical vapor deposited SiCOH Low-k dielectric film”, Оптика и спектроскопия, 129:5 (2021), 618 ; Optics and Spectroscopy, 129:6 (2021), 645–651 |
6
|
|
2019 |
| 10. |
Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин, “Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2528–2535 ; T. V. Perevalov, V. A. Volodin, Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, “Nanoscale potential fluctuations in SiO$_{x}$ synthesized by the plasma enhanced chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2560–2568 |
2
|
| 11. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин, “Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 112–117 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, A. K. Gutakovskii, I. P. Prosvirin, “Structure of Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$ ferroelectric films obtained by the atomic layer deposition”, JETP Letters, 109:2 (2019), 116–120 |
5
|
| 12. |
N. S. Smirnova, P. V. Markov, G. N. Baeva, A. V. Rassolov, I. S. Mashkovsky, A. V. Bukhtiyarov, I. P. Prosvirin, M. A. Panafidin, Ya. V. Zubavichus, V. I. Bukhtiyarov, A. Yu. Stakheev, “CO-induced segregation as an efficient tool to control the surface composition and catalytic performance of PdAg<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> catalyst”, Mendeleev Commun., 29:5 (2019), 547–549 |
24
|
|
2018 |
| 13. |
В. А. Гриценко, Т. В. Перевалов, В. А. Володин, В. Н. Кручинин, А. К. Герасимова, И. П. Просвирин, “Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrO$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018), 230–235 ; V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, V. A. Volodin, V. N. Kruchinin, A. K. Gerasimova, I. P. Prosvirin, “Atomic and electronic structures of metal-rich noncentrosymmetric ZrO$_x$”, JETP Letters, 108:4 (2018), 226–230 |
2
|
| 14. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, И. П. Просвирин, “Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической нецентросимметричной фазе Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 62–67 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, D. R. Islamov, I. P. Prosvirin, “Electronic structure of oxygen vacancies in the orthorhombic noncentrosymmetric phase Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, JETP Letters, 107:1 (2018), 55–60 |
11
|
| 15. |
I. S. Mashkovsky, N. S. Smirnova, P. V. Markov, G. N. Baeva, G. O. Bragina, A. V. Bukhtiyarov, I. P. Prosvirin, A. Yu. Stakheev, “Tuning the surface structure and catalytic performance of PdIn/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> in selective liquid-phase hydrogenation by mild oxidative-reductive treatments”, Mendeleev Commun., 28:6 (2018), 603–605 |
25
|
| 16. |
I. S. Mashkovsky, P. V. Markov, G. O. Bragina, G. N. Baeva, A. V. Rassolov, A. V. Bukhtiyarov, I. P. Prosvirin, V. I. Bukhtiyarov, A. Yu. Stakheev, “PdZn/α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> catalyst for liquid-phase alkyne hydrogenation: effect of the solid-state alloy transformation into intermetallics”, Mendeleev Commun., 28:2 (2018), 152–154 |
30
|
|
2017 |
| 17. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, В. Г. Тихомиров, И. П. Просвирин, “AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 395–402 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 |
5
|
|
2014 |
| 18. |
В. П. Анаников, Л. Л. Хемчян, Ю. В. Иванова, В. И. Бухтияров, А. М. Сорокин, И. П. Просвирин, С. З. Вацадзе, А. В. Медведько, В. Н. Нуриев, А. Д. Дильман, В. В. Левин, И. В. Коптюг, К. В. Ковтунов, В. В. Живонитко, В. А. Лихолобов, А. В. Романенко, П. А. Симонов, В. Г. Ненайденко, О. И. Шматова, В. М. Музалевский, М. С. Нечаев, А. Ф. Асаченко, О. С. Морозов, П. Б. Джеваков, С. Н. Осипов, Д. В. Воробьева, М. А. Топчий, М. А. Зотова, С. А. Пономаренко, О. В. Борщев, Ю. Н. Лупоносов, А. А. Ремпель, А. А. Валеева, А. Ю. Стахеев, О. В. Турова, И. С. Машковский, С. В. Сысолятин, В. В. Малыхин, Г. А. Бухтиярова, А. О. Терентьев, И. Б. Крылов, “Развитие методологии современного селективного органического синтеза: получение функционализированных молекул с атомарной точностью”, Усп. хим., 83:10 (2014), 885–985 ; V. P. Ananikov, L. L. Khemchyan, Yu. V. Ivanova, V. I. Bukhtiyarov, A. M. Sorokin, I. P. Prosvirin, S. Z. Vatsadze, A. V. Medved'ko, V. N. Nuriev, A. D. Dilman, V. V. Levin, I. V. Koptyug, K. V. Kovtunov, V. V. Zhivonitko, V. A. Likholobov, A. V. Romanenko, P. A. Simonov, V. G. Nenajdenko, O. I. Shmatova, V. M. Muzalevskiy, M. S. Nechaev, A. F. Asachenko, O. S. Morozov, P. B. Dzhevakov, S. N. Osipov, D. V. Vorobyeva, M. A. Topchiy, M. A. Zotova, S. A. Ponomarenko, O. V. Borshchev, Yu. N. Luponosov, A. A. Rempel, A. A. Valeeva, A. Yu. Stakheev, O. V. Turova, I. S. Mashkovsky, S. V. Sysolyatin, V. V. Malykhin, G. A. Bukhtiyarova, A. O. Terent'ev, I. B. Krylov, “Development of new methods in modern selective organic synthesis: preparation of functionalized molecules with atomic precision”, Russian Chem. Reviews, 83:10 (2014), 885–985 |
220
|
|
2012 |
| 19. |
Н. А. Валишева, О. Е. Терещенко, И. П. Просвирин, А. В. Калинкин, В. А. Голяшов, Т. А. Левцова, В. И. Бухтияров, “Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 569–575 ; N. A. Valisheva, O. E. Tereshchenko, I. P. Prosvirin, A. V. Kalinkin, V. A. Golyashov, T. A. Levtsova, V. I. Bukhtiyarov, “Formation of anodic layers on InAs (111)III. Study of the chemical composition”, Semiconductors, 46:4 (2012), 545–551 |
6
|
| 20. |
О. Е. Терещенко, А. Г. Паулиш, М. А. Неклюдова, Т. С. Шамирзаев, А. С. Ярошевич, И. П. Просвирин, И. Э. Жаксылыкова, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. Н. Варнаков, М. В. Рауцкий, Н. В. Волков, С. Г. Овчинников, А. В. Латышев, “Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов”, Письма в ЖТФ, 38:1 (2012), 27–36 ; O. E. Tereshchenko, A. G. Paulish, M. A. Neklyudova, T. S. Shamirzaev, A. S. Yaroshevich, I. P. Prosvirin, I. E. Zhaksylykova, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. N. Varnakov, M. V. Rautskii, N. V. Volkov, S. G. Ovchinnikov, A. V. Latyshev, “Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin”, Tech. Phys. Lett., 38:1 (2012), 12–16 |
2
|
|
2011 |
| 21. |
О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503 ; O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468 |
27
|
|
