|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Д. Б. Богомолов, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, В. В. Преображенский, “Формирование самоорганизованных квантовых точек в ходе осаждения GaSbP на поверхность AlP”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024), 185–191   |
|
2022 |
| 2. |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, А. В. Васев, Д. С. Абрамкин, Е. А. Емельянов, И. Д. Лошкарев, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, В. В. Преображенский, “Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 980–992 |
|
2021 |
| 3. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Ненашев, М. Ю. Есин, А. В. Васев, М. А. Путято, Д. Б. Богомолов, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, “Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 139–146 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emelyanov, A. V. Nenashev, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, M. A. Putyato, D. B. Bogomolov, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, “Formation of InAs/GaP heterostructures with quantum wells on silicon substrates by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 55:2 (2021), 194–201 |
7
|
|
2020 |
| 4. |
М. О. Петрушков, Д. С. Абрамкин, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, А. В. Васев, И. Д. Лошкарев, М. Ю. Есин, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, В. В. Преображенский, “Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1289–1295 ; M. O. Petrushkov, D. S. Abramkin, E. A. Emelyanov, M. A. Putyato, A. V. Vasev, I. D. Loshkarev, M. Yu. Yesin, O. S. Komkov, D. D. Firsov, V. V. Preobrazhenskii, “Effect of the crystallographic orientation of GaSb films on their structural properties during MBE heteroepitaxy on vicinal Si(001) substrates”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1548–1554 |
3
|
|
2019 |
| 5. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1167–1171 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “GaAs/GaP quantum-well heterostructures grown on Si substrates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1143–1147 |
7
|
| 6. |
Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев, “Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110)”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 710–717 ; D. S. Abramkin, T. S. Shamirzaev, “Type-I indirect-gap semiconductor heterostructures on (110) substrates”, Semiconductors, 53:5 (2019), 703–710 |
5
|
|
2018 |
| 7. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1373–1379 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, T. S. Shamirzaev, “Heterostructures with InAs/AlAs quantum wells and quantum dots grown on GaAs/Si hybrid substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1484–1490 |
2
|
| 8. |
Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1280–1285 ; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Spinodal decomposition in InSb/AlAs heterostructures”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1392–1397 |
7
|
|
2017 |
| 9. |
В. Е. Никифоров, Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев, “Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1565–1568 ; V. E. Nikiforov, D. S. Abramkin, T. S. Shamirzaev, “Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1513–1516 |
4
|
| 10. |
Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1282–1288 ; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1233–1239 |
7
|
|
2016 |
| 11. |
Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, А. К. Бакаров, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016), 785–791 ; D. S. Abramkin, K. M. Rumynin, A. K. Bakarov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Quantum dots formed in InSb/AlAs and AlSb/AlAs heterostructures”, JETP Letters, 103:11 (2016), 692–698   |
17
|
|
2015 |
| 12. |
К. В. Феклистов, Д. С. Абрамкин, В. И. Ободников, В. П. Попов, “Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 52–60 ; K. V. Feklistov, D. S. Abramkin, V. I. Obodnikov, V. P. Popov, “Doping silicon with erbium by recoil implantation”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 788–792 |
6
|
|
2014 |
| 13. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, Д. О. Филатов, Д. С. Абрамкин, “Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 175–180 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, D. O. Filatov, D. S. Abramkin, “Emission of photoexcited charge carriers from InAs/GaAs quantum dots grown by gas-phase epitaxy”, JETP Letters, 100:3 (2014), 156–161 |
11
|
| 14. |
D. S. Abramkin, V. T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP
heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014), 81–86 ; JETP Letters, 99:2 (2014), 76–81 |
11
|
|
2012 |
| 15. |
T. S. Shamirzaev, D. S. Abramkin, A. K. Gutakovskii, M. A. Putyato, “Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem”, Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012), 601–603 ; JETP Letters, 95:10 (2012), 534–536 |
13
|
| 16. |
Д. С. Абрамкин, М. А. Путято, А. К. Гутаковский, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, Т. С. Шамирзаев, “Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1571–1575 ; D. S. Abramkin, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, T. S. Shamirzaev, “New system of self-assembled GaSb/GaP quantum dots”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1534–1538 |
10
|
|
