|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, Ю. Б. Васильев, А. А. Грешнов, R. J. Haug, “Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1681–1685   ; G. Yu. Vasil'eva, D. Smirnov, Yu. B. Vasil'ev, A. A. Greshnov, R. J. Haug, “Edge doping in graphene devices on SiO$_{2}$ substrates”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1672–1676 |
1
|
| 2. |
Г. Ю. Васильева, А. А. Грешнов, Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, А. А. Усикова, R. J. Haug, “Магнетотранспортная спектроскопия интерфейсных, квантово-ямных и гибридных состояний в структурах с многочисленными слоями HgTe толщиной 16 нм”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 947–952 ; G. Yu. Vasil'eva, A. A. Greshnov, Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, A. A. Usikova, R. J. Haug, “Magnetotransport spectroscopy of the interface, quantum well, and hybrid states in structures with 16-nm-thick multiple HgTe layers”, Semiconductors, 53:7 (2019), 930–935 |
|
2018 |
| 3. |
Г. Ю. Васильева, Ю. Б. Васильев, С. Н. Новиков, С. Н. Данилов, С. Д. Ганичев, “Изготовление $p$–$n$-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 949–953 ; G. Yu. Vasil'eva, Yu. B. Vasil'ev, S. N. Novikov, S. N. Danilov, S. D. Ganichev, “On the fabrication of graphene $p$–$n$ junctions and their application for detecting terahertz radiation”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1077–1081 |
2
|
|
2016 |
| 4. |
Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Ю. Л. Иванов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. Н. Григорьев, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, “Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936 ; Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, Yu. L. Ivanov, A. O. Zahar'in, A. V. Andrianov, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, M. N. Grigor'ev, A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, “Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure”, Semiconductors, 50:7 (2016), 915–919 |
2
|
|
2013 |
| 5. |
А. А. Грешнов, Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, “Проявление полуметаллического состояния в циклотронном
резонансе низкосимметричных квантовых ям на основе HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 97:2 (2013), 108–113 ; A. A. Greshnov, Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, D. Smirnov, “Manifestation of a semimetallic state in cyclotron resonance in low-symmetry HgTe-based quantum wells”, JETP Letters, 97:2 (2013), 102–106   |
6
|
|
2012 |
| 6. |
Г. Ю. Васильева, П. С. Алексеев, Ю. Л. Иванов, Ю. Б. Васильев, Д. Смирнов, Х. Шмидт, Р. Ж. Хауг, Ф. Гойдер, Г. Начтвей, “Особенности магнетосопротивления монослойного графена
при рассеянии на короткодействующем потенциале”, Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012), 519–522 ; G. Yu. Vasil'eva, P. S. Alekseev, Yu. L. Ivanov, Yu. B. Vasil'ev, D. Smirnov, H. Shmidt, R. J. Haug, F. Gouider, G. Nachtwei, “Magnetoresistance of single-layer graphene under the conditions of short-range potential scattering”, JETP Letters, 96:7 (2012), 471–474 |
7
|
| 7. |
Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, F. Gouider, Г. Ю. Васильева, G. Nachtwei, “Механизм терагерцовой фотопроводимости в полуметаллических квантовых ямах HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 673–676 ; Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, F. Gouider, G. Yu. Vasil'eva, G. Nachtwei, “Mechanism of terahertz photoconductivity in semimetallic HgTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 46:5 (2012), 655–658 |
2
|
|
