|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
В. П. Гордеев, В. А. Олещенко, В. В. Безотосный, “Термоупругие напряжения в мощных непрерывных линейках лазерных диодов, смонтированных на сабмаунтах из CuW и AlN”, Квантовая электроника, 52:5 (2022), 443–448  [V. P. Gordeev, V. A. Oleshchenko, V. V. Bezotosnyi, “Thermoelastic stresses in high-power CW diode laser arrays assembled on CuW and AlN submounts”, Quantum Electron., 52:5 (2022), 443–448  ] |
1
|
|
2021 |
| 2. |
В. А. Олещенко, А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, В. В. Безотосный, “Моделирование конструкции двумерной матрицы лазерных диодов с прямым охлаждением потоком теплоносителя”, Квантовая электроника, 51:3 (2021), 196–200  [V. A. Oleshchenko, A. P. Bogatov, N. V. D'yachkov, V. V. Bezotosnyi, “Simulation of a two-dimensional laser diode array directly cooled by coolant flow”, Quantum Electron., 51:3 (2021), 196–200  ] |
2
|
|
2020 |
| 3. |
В. А. Олещенко, В. В. Безотосный, В. Ю. Тимошенко, “Разогрев водных суспензий наночастиц кремния при воздействии излучения лазерного диода с длиной волны 808 нм для применений в методе локальной фотогипертермии”, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 104–108 [V. A. Oleshchenko, V. V. Bezotosnyi, V. Yu. Timoshenko, “Heating of aqueous suspensions of silicon nanoparticles by a 808-nm diode laser for application in local photohyperthermia”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 104–108 ] |
6
|
|
2018 |
| 4. |
В. В. Безотосный, В. П. Гордеев, В. А. Олещенко, “Влияние уровня накачки на однородность распределения мощности и спектра по излучающей апертуре непрерывных линеек лазерных диодов”, Квантовая электроника, 48:6 (2018), 502–505 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Gordeev, V. A. Oleshchenko, “Effect of pumping level on the uniformity of the power and spectrum distributions over the emitting aperture of cw laser diode bars”, Quantum Electron., 48:6 (2018), 502–505 ] |
4
|
| 5. |
В. В. Безотосный, В. П. Гордеев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Моделирование и экспериментальное изучение температурных профилей в непрерывных лазерных диодных линейках”, Квантовая электроника, 48:2 (2018), 115–118 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Gordeev, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Modelling and experimental study of temperature profiles in cw laser diode bars”, Quantum Electron., 48:2 (2018), 115–118 ] |
5
|
|
2017 |
| 6. |
В. В. Безотосный, А. А. Козырев, Н. С. Кондакова, С. А. Кондаков, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм”, Квантовая электроника, 47:1 (2017), 5–6 [V. V. Bezotosnyi, A. A. Kozyrev, N. S. Kondakova, S. A. Kondakov, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Quasi-cw 808-nm 300-W laser diode arrays”, Quantum Electron., 47:1 (2017), 5–6 ] |
4
|
|
2016 |
| 7. |
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Особенности спектров генерации и тепловое сопротивление непрерывных лазерных диодов с длиной волны излучения 976 нм и мощностью до 15 Вт”, Квантовая электроника, 46:8 (2016), 679–681 [V. V. Bezotosnyi, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Spectral features and thermal resistance of 976-nm cw laser diodes with a power up to 15 W”, Quantum Electron., 46:8 (2016), 679–681 ] |
9
|
|
2015 |
| 8. |
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Лазерные диоды на длине волны 980 нм с непрерывной мощностью 15 Вт на теплоотводящих элементах типа F-маунтов”, Квантовая электроника, 45:12 (2015), 1088–1090 [V. V. Bezotosnyi, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “980-nm, 15-W cw laser diodes on F-mount-type heat sinks”, Quantum Electron., 45:12 (2015), 1088–1090 ] |
9
|
|
2014 |
| 9. |
В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800–808 нм в импульсном режиме”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 114–119 |
2
|
| 10. |
В. В. Безотосный, В. А. Олещенко, Е. А. Чешев, “Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 109–113 ; V. V. Bezotosnyi, V. A. Oleshchenko, E. A. Cheshev, “Investigation of the restoration effect of the radiative parameters of high-power laser diodes based on GaAsP/AlGaAs/GaAs strained heterostructures at a wavelength of 808 nm”, Semiconductors, 48:1 (2014), 104–108 |
2
|
| 11. |
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Моделирование теплового режима мощных лазерных диодов, смонтированных с использованием сабмаунтов различного типа”, Квантовая электроника, 44:10 (2014), 899–902 [V. V. Bezotosnyi, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Thermal modelling of high-power laser diodes mounted using various types of submounts”, Quantum Electron., 44:10 (2014), 899–902 ] |
11
|
| 12. |
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Излучательные параметры и тепловой режим мощных одиночных лазерных диодов спектрального диапазона 980 нм”, Квантовая электроника, 44:2 (2014), 145–148 [V. V. Bezotosnyi, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Emission parameters and thermal management of single high-power 980-nm laser diodes”, Quantum Electron., 44:2 (2014), 145–148 ] |
11
|
|
2012 |
| 13. |
Е. Е. Ашкинази, В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. И. Коваленко, В. И. Конов, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, А. Ф. Попович, В. Г. Ральченко, Е. А. Чешев, “Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме”, Квантовая электроника, 42:11 (2012), 959–960 [E. E. Ashkinazi, V. V. Bezotosnyi, V. Yu. Bondarev, V. I. Kovalenko, V. I. Konov, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, A. F. Popovich, V. G. Ral'chenko, E. A. Cheshev, “Increasing the output power of single 808-nm laser diodes using diamond submounts produced by microwave plasma chemical vapour deposition”, Quantum Electron., 42:11 (2012), 959–960 ] |
9
|
|
2009 |
| 14. |
В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт”, Квантовая электроника, 39:3 (2009), 241–243 [V. V. Bezotosnyi, V. Yu. Bondarev, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Laser diodes emitting up to 25 W at 808 nm”, Quantum Electron., 39:3 (2009), 241–243 ] |
15
|
|
