|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. М. Пашаев, Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, В. Т. Межидова, И. З. Садыхов, “Влияние электрического поля на энергию активации локальных уровней в полупроводниках со слоистой (GaSe) и кубической структурой (Ga$_{2}$Se$_{3}$)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 221–225   ; A. M. Pashaev, B. H. Tagiev, O. B. Tagiyev, V. T. Majidova, I. Z. Sadikhov, “Influence of electric field on the activation energy of local levels in semiconductors with layered (GaSe) and cubic (Ga$_{2}$Se$_{3}$) structures”, Semiconductors, 53:2 (2019), 210–214 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, “Электропроводность монокристаллов твердых растворов GaSe$_{x}$Te$_{1-x}$ в сильных электрических полях”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1060–1064 ; B. H. Tagiev, O. B. Tagiyev, “Electrical conductivity in single crystals of GaSe$_{x}$Te$_{1-x}$ solid solutions in strong electrical fields”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1080–1084 |
2
|
|
2013 |
| 3. |
А. М. Пашаев, Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, “Эффект Пула–Френкеля в халькогенидных полупроводниках с различными кристаллическими структурами”, Физика твердого тела, 55:5 (2013), 861–865 ; A. M. Pashaev, B. H. Tagiev, O. B. Tagiyev, “Poole–Frenkel effect in chalcogenide semiconductors with various crystalline structures”, Phys. Solid State, 55:5 (2013), 937–942 |
3
|
|
2012 |
| 4. |
Б. Г. Тагиев, Т. Г. Керимова, О. Б. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, И. А. Мамедова, “Оптические переходы в MnGa$_2$Se$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 725–727 ; B. H. Tagiev, T. G. Kerimova, O. B. Tagiyev, S. G. Asadullayeva, I. A. Mamedova, “Optical transitions in MnGa$_2$Se$_4$”, Semiconductors, 46:6 (2012), 705–707 |
8
|
| 5. |
Б. Г. Тагиев, О. В. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, Г. Ю. Эйюбов, “Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 721–724 ; B. H. Tagiev, O. V. Tagiev, S. G. Asadullayeva, Q. Y. Eyyubov, “Current-voltage characteristics of MnGa$_2$Se$_4$ single crystals”, Semiconductors, 46:6 (2012), 701–704 |
4
|
| 6. |
Б. Г. Тагиев, О. В. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, Г. Й. Эйюбов, “Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 334–337 ; B. H. Tagiev, O. V. Tagiev, S. G. Asadullayeva, Q. Y. Eyyubov, “Current-voltage characteristics of MnGa$_2$Se$_4$ single crystals”, Semiconductors, 46:3 (2012), 319–322 |
1
|
|
1991 |
| 7. |
И. М. Аскеров, Ф. Ш. Айдаев, Г. К. Асланов, В. Ф. Мастеров, Б. Г. Тагиев, “Люминесценция примесных центров Eu и Mn в монокристаллах
Ga$_{2}$S$_{3}$(Se$_{3}$)”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2042–2044 |
| 8. |
Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, Г. А. Касимова, “Инжекционные токи и термополевой эффект Пула$-$Френкеля
в монокристаллах твердых растворов
(Ga$_{2}$S$_{3}$)$_{1-x}$(Eu$_{2}$O$_{3}$)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1877–1882 |
|
1989 |
| 9. |
И. М. Аскеров, Г. К. Асланов, Ф. С. Насрединов, Б. Г. Тагиев, “Дефектные полупроводники Ga$_{2}$S$_{3}$ и Ga$_{2}$Se$_{3}$,
легированные железом”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1083–1087 |
|
1986 |
| 10. |
Б. Г. Тагиев, Ф. Ш. Айдаев, “Электролюминесценция и инжекционные токи в монокристаллах
GaS : Ho”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 723–726 |
|
1985 |
| 11. |
Г. А. Смоленский, Л. С. Стильбанс, Э. М. Шер, М. М. Акперов, Б. Г. Тагиев, Т. Т. Токарбаев, К. З. Кобахидзе, “Об использовании эффекта Пельтье для управления сегнетоэлектрическими и магнитными фазовыми переходами”, Докл. АН СССР, 280:3 (1985), 601–604 |
|
1984 |
| 12. |
Б. Г. Тагиев, С. А. Абушов, Г. М. Нифтиев, “Электролюминесценция монокристаллов
GaS$\langle$Yb$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1904–1906 |
| 13. |
Б. Г. Тагиев, Г. М. Мамедов, Э. Ф. Багирзаде, Н. Д. Мамедов, Б. З. Алиев, М. Б. Джафаров, “Термополевое гашение экситонной фотопроводимости
в GaSe$\langle\text{Ge}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1043–1045 |
| 14. |
Г. М. Абдуллаев, С. А. Абушов, Ч. М. Брискина, В. Ф. Золин, В. М. Маркушев, Г. М. Нифтиев, Б. Г. Тагиев, “Фото- и электролюминесценция неодима в монокристаллах GaSe”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 605–608 [H. M. Abdullaev, S. A. Abushov, Ch. M. Briskina, V. F. Zolin, V. M. Markushev, G. M. Niftiev, B. H. Tagiev, “Photoluminescence and electroluminescence of neodymium in GaSe single crystals”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 410–412  ] |
|
1983 |
| 15. |
Б. Г. Тагиев, Г. М. Нифтиев, С. М. Баширов, “Термостимулированная проводимость в монокристаллах
GaSe$\langle\text{Ni}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1320–1322 |
|
