|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
М. А. Ройз, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, Д. С. Буренина, А. А. Пивоварова, А. М. Монахов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1273–1277   ; M. A. Royz, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, D. S. Burenina, A. A. Pivovarova, A. M. Monakhov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1224–1228 |
|
2016 |
| 2. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. А. Шутаев, А. М. Оспенников, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 946–951 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. A. Shutaev, A. M. Ospennikov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 929–934 |
5
|
|
2014 |
| 3. |
V. Rakovics, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1693–1696 ; V. Rakovics, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “High-power LEDs based on InGaAsP/InP heterostructures”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1653–1656 |
1
|
| 4. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. В. Шерстнев, А. А. Леонидов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1434–1438 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. V. Sherstnev, A. A. Leonidov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence properties of a whispering-gallery-mode laser with coupled disk cavities”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1399–1403 |
|
2013 |
| 5. |
А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, И. В. Ковалёв, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 821–824 ; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, I. V. Kovalev, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Temperature dependence of the threshold current in quantum-well WGM lasers (2.0–2.5 $\mu$m)”, Semiconductors, 47:6 (2013), 831–834 |
1
|
| 6. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 690–695 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Improvement in the quantum sensitivity of InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure photodiodes”, Semiconductors, 47:5 (2013), 701–706 |
2
|
|
2012 |
| 7. |
Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев, “Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 247–251 ; E. A. Grebenshchikova, A. N. Imenkov, S. S. Kizhaev, A. S. Golovin, Yu. P. Yakovlev, “Study of the emission extraction efficiency of mesa-LEDs with a narrow-gap InAsSb active region”, Semiconductors, 46:2 (2012), 236–240 |
| 8. |
А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, А. М. Монахов, И. В. Ковалёв, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Исследование квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, при температурах выше комнатной”, Письма в ЖТФ, 38:14 (2012), 27–31 ; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, A. M. Monakhov, I. V. Kovalev, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Characterization of quantum-confinement whispering-gallery-mode lasers operating above room temperature”, Tech. Phys. Lett., 38:7 (2012), 654–656 |
1
|
| 9. |
А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, А. М. Монахов, Д. С. Тарасов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Анизотропная поляризация излучения в квантово-размерных лазерах, работающих на модах шепчущей галереи”, Письма в ЖТФ, 38:3 (2012), 4–9 ; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, A. M. Monakhov, D. S. Tarasov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Anisotropic polarization of radiation in quantum-confinement whispering-gallery-mode lasers”, Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 103–105 |
|
1993 |
| 10. |
Ю. П. Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, Я. Я. Понуровский, “Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 839–842 [Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, E. V. Stepanov, Ya. Ya. Ponurovskii, “InAsSb/InAsSbP injection lasers for high-resolution spectroscopy”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 726–729  ] |
6
|
|
1992 |
| 11. |
А. Н. Баранов, С. Ю. Белкин, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения
в гетеролазерах на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1971–1976 |
| 12. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии
метана ($\lambda=3.2{-}3.4$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 18:22 (1992), 6–10 |
| 13. |
А. Н. Баранов, С. Ю. Белкин, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения на $n{-}n$-границе в ДГС GaInAsSb
лазерах”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 18–24 |
|
1991 |
| 14. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. Л. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов, “Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС
лазеров на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 394–401 |
| 15. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Влияние интерфейсной рекомбинации на пороговые характеристики
GaInAsSb/GaSb лазеров”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 54–59 |
| 16. |
А. Абрагам, Э. Гулициус, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Стабилизация излучения при наработке зарощенного InGaAsSb$-$GaSb
гетеролазера ($\lambda=2$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 56–60 |
|
1990 |
| 17. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе
GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1708–1714 |
| 18. |
А. Н. Именков, О. П. Капранчик, A. M. Литвак, А. А. Попов, Н. А. Чарыков, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды на основе
GaInAsSb вблизи области несмешиваемости ($\lambda=2.4{-}2.6$ мкм,
$T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 16:24 (1990), 19–24 |
| 19. |
А. Н. Баранов, А. Н. Именков, О. П. Капранчик, Валер. В. Негрескул, А. Г. Чернявский, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды на основе гетеропереходов
InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}\bigr|$InAs
($\lambda=3.0{-}4.8$ мкм при 300 K)
с широкозонным «окном»”, Письма в ЖТФ, 16:16 (1990), 42–47 |
| 20. |
В. Г. Аветисов, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. И. Надеждинский, А. Н. Хуснутдинов, Ю. П. Яковлев, “Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров
на основе GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 66–70 |
|
1989 |
| 21. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа
на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1373–1377 |
| 22. |
А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Е. А. Сидоренкова, Ю. П. Яковлев, “Высокоэффективные светодиоды на основе
GaInAsSb для спектрального диапазона
1.8$-$2.4 мкм ($T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 71–75 |
| 23. |
Н. С. Аверкиев, А. Н. Именков, A. M. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Релаксация излучения и неравновесной заселенности
в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Письма в ЖТФ, 15:3 (1989), 79–83 |
|
1988 |
| 24. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, О. Г. Ершов, Ю. П. Яковлев, “Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе
GaInAsSb”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1623–1626 |
| 25. |
А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, Б. Е. Джуртанов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов
GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости
($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:20 (1988), 1839–1843 |
| 26. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, A. M. Литвак, В. Е. Усманский, Ю. П. Яковлев, “Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе
GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1671–1675 |
| 27. |
А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. Гусейнов, А. Н. Именков, Л. М. Литвак, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Высокоэффективные светодиоды на основе
GaInAsSb ($\lambda=2.2$ мкм,
$\eta=4$%, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:9 (1988), 845–849 |
|
1987 |
| 28. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. М. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 517–523 |
| 29. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, И. Н. Тимченко, Ю. П. Яковлев, “Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 459–464 |
| 30. |
Н. С. Аверкиев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. П. Яковлев, “Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 332–337 |
|
1986 |
| 31. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения в квантово-размерной
структуре на одном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2217–2221 |
| 32. |
Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Расширение спектральной фоточувствительности варизонных Р-П-структур за счет эффекта переизлучения”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1241–1245 |
| 33. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986), 664–668 |
| 34. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 557–561 |
|
1985 |
| 35. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной
$p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 502–506 |
|
1983 |
| 36. |
В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, Е. А. Поссе, В. Е. Уманский, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных
варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2173–2176 |
| 37. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения
в варизонной $p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 753–755 |
| 38. |
Ю. Ю. Абдурахманов, В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, Е. А. Поссе, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P
$p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 125–128 |
|
1974 |
| 39. |
Г. К. Аверкиева, А. Н. Именков, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, М. Таштанова, “Электрические свойства и фотопроводимость кристаллов $\mathrm{ZnSiAs}_2$ $n$-типа”, Докл. АН СССР, 216:1 (1974), 56–58 |
|
1965 |
| 40. |
М. Л. Белле, Ю. А. Валов, Н. А. Горюнова, Л. Б. Златкин, А. Н. Именков, М. М. Козлов, Б. В. Царенков, “Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов $\mathrm{ZnSiP}_2$”, Докл. АН СССР, 163:3 (1965), 606–608 |
|
