|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, А. В. Мудрый, О. М. Бородавченко, А. О. Баженов, А. В. Двуреченский, В. Д. Живулько, “Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков”, Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025), 55–59  |
|
2024 |
| 2. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, В. И. Муратов, А. В. Двуреченский, “Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением”, Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024), 692–696 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, V. I. Muratov, A. V. Dvurechenskii, “Growth of silicene by molecular beam epitaxy on CaF$_2$/Si(111) substrates modified by electron irradiation”, JETP Letters, 119:9 (2024), 703–707 |
3
|
| 3. |
В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, А. Ф. Зиновьева, Е. Е. Родякина, А. В. Кацюба, П. А. Кучинская, К. Н. Астанкова, К. В. Барышникова, М. И. Петров, М. С. Михайловский, В. А. Вербус, М. В. Степихова, А. В. Новиков, “Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 238–241  |
|
2023 |
| 4. |
Ж. В. Смагина, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, С. А. Дьяков, Е. Е. Родякина, Д. В. Шенгуров, А. В. Кацюба, А. В. Новиков, “Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 414–420 |
|
2022 |
| 5. |
В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А. Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, “Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022), 608–613 ; V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, A. Yu. Krupin, L. V. Kulik, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, A. V. Dvurechenskii, “Synthesis of epitaxial structures with two-dimensional si layers embedded in a CaF$_2$ dielectric matrix”, JETP Letters, 116:9 (2022), 628–633 |
3
|
| 6. |
В. А. Зиновьев, А. С. Дерябин, А. В. Кацюба, В. А. Володин, А. Ф. Зиновьева, С. Г. Черкова, Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, А. Ю. Крупин, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, “Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF$_2$/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 748–752 |
|
2021 |
| 7. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев, А. А. Шкляев, Л. В. Кулик, А. В. Двуреченский, “Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021), 58–62 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, A. A. Shklyaev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Electron spin resonance in heterostructures with ring molecules of GeSi quantum dots”, JETP Letters, 113:1 (2021), 52–56   |
1
|
| 8. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, М. В. Степихова, А. В. Перетокин, С. А. Дьяков, Е. Е. Родякина, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1210–1215 |
2
|
| 9. |
В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, А. Ф. Зиновьева, С. Г. Черкова, Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, А. Ю. Крупин, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, “Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 725–728 ; V. A. Zinov'ev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinov'eva, S. G. Cherkova, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Yu. Krupin, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, “Atomic structure and optical properties of CaSi$_2$ layers grown on CaF$_2$/Si substrates”, Semiconductors, 55:10 (2021), 808–811 |
5
|
|
2020 |
| 10. |
Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715 ; Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859 |
7
|
|
2019 |
| 11. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. В. Кацюба, А. В. Двуреченский, А. К. Гутаковский, Л. В. Кулик, А. С. Богомяков, С. Б. Эренбург, С. В. Трубина, М. Фёльсков, “Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем”, Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019), 258–264 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. V. Katsyuba, A. V. Dvurechenskii, A. K. Gutakovskii, L. V. Kulik, A. S. Bogomyakov, S. B. Erenburg, S. V. Trubina, M. Voelskow, “Electron paramagnetic resonance in Ge/Si heterostructures with Mn-doped quantum dots”, JETP Letters, 109:4 (2019), 270–275 |
| 12. |
S. K. Lazareva, E. M. Glebov, D. A. Nevostruev, D. V. Lonshakov, A. G. Lvov, V. Z. Shirinian, V. A. Zinovyev, A. B. Smolentsev, “Fluorescence modulation of eosin Y in a PMMA film by diarylethene switching”, Mendeleev Commun., 29:3 (2019), 285–287 |
4
|
| 13. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, Б. И. Фомин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1366–1371 ; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Ordered arrays of Ge(Si) quantum dots embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333 |
7
|
|
2018 |
| 14. |
С. А. Рудин, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, П. Л. Новиков, А. В. Ненашев, Е. Е. Родякина, А. В. Двуреченский, “Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1346–1350 ; S. A. Rudin, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, P. L. Novikov, A. V. Nenashev, E. E. Rodyakina, A. V. Dvurechenskii, “Nucleation of three-dimensional Ge islands on a patterned Si(100) surface”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1457–1461 |
5
|
| 15. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Г. К. Кривякин, Е. Е. Родякина, П. А. Кучинская, Б. И. Фомин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1028–1033 ; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, G. K. Krivyakin, E. E. Rodyakina, P. A. Kuchinskaya, B. I. Fomin, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Study of the structural and emission properties of Ge(Si) quantum dots ordered on the Si(001) surface”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155 |
7
|
|
2016 |
| 16. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. В. Мудрый, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016), 845–848 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. V. Mudryi, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Photoluminescence enhancement in double Ge/Si quantum dot structures”, JETP Letters, 104:12 (2016), 823–826 |
18
|
|
2015 |
| 17. |
Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, В. А. Селезнев, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. К. Гутаковский, “Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 767–771 ; Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, V. A. Seleznev, P. A. Kuchinskaya, V. A. Armbrister, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii, “Linear chains of Ge/Si quantum dots grown on a prepatterned surface formed by ion irradiation”, Semiconductors, 49:6 (2015), 749–752 |
25
|
| 18. |
В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, С. А. Тийс, А. А. Шкляев, А. В. Мудрый, “Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 155–159 ; V. A. Zinovyev, A. V. Dvurechenskii, P. A. Kuchinskaya, V. A. Armbrister, S. A. Teys, A. A. Shklyaev, A. V. Mudryi, “Nucleation and growth of ordered groups of SiGe quantum dots”, Semiconductors, 49:2 (2015), 149–153 |
6
|
|
2004 |
| 19. |
А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004), 411–415 ; A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy”, JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336 |
5
|
|
2001 |
| 20. |
А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, “Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si”, Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001), 296–299 ; A. V. Dvurechenskii, V. A. Zinov'ev, Zh. V. Smagina, “Self-organization of an ensemble of Ge nanoclusters upon pulsed irradiation with low-energy ions during heteroepitaxy on Si”, JETP Letters, 74:5 (2001), 267–269 |
15
|
|
