|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. В. Белолипецкий, М. О. Нестоклон, И. Н. Яссиевич, “Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO$_{2}$: подбор параметров эмпирического метода сильной связи”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1145–1149   ; A. V. Belolipetskiy, M. O. Nestoklon, I. N. Yassievich, “Simulation of electron and hole states in Si nanocrystals in a SiO$_{2}$ matrix: choice of parameters of the empirical tight-binding method”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1264–1268 |
5
|
|
2017 |
| 2. |
А. В. Герт, М. О. Нестоклон, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич, “Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1325–1340 ; A. V. Gert, M. O. Nestoklon, A. A. Prokof'ev, I. N. Yassievich, “Tight-binding simulation of silicon and germanium nanocrystals”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1274–1289 |
4
|
|
2013 |
| 3. |
Z. Liu, М. О. Нестоклон, J. L. Cheng, Е. Л. Ивченко, M. W. Wu, “Спин-зависимое внутри- и междолинное электрон-фононное рассеяние в германии”, Физика твердого тела, 55:8 (2013), 1510–1523 ; Z. Liu, M. O. Nestoklon, J. L. Cheng, E. L. Ivchenko, M. W. Wu, “Spin-dependent intravalley and intervalley electron-phonon scatterings in germanium”, Phys. Solid State, 55:8 (2013), 1619–1634 |
7
|
|
