|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Л. В. Прокофьева, П. П. Константинов, “О структуре энергетического спектра дырок в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ под иным углом зрения”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 890–896   ; L. V. Prokof'eva, P. P. Konstantinov, “Structure of the energy spectrum of holes in IV–VI materials from a different viewpoint”, Semiconductors, 53:7 (2019), 875–881 |
|
2017 |
| 2. |
Л. В. Прокофьева, Ф. С. Насрединов, П. П. Константинов, А. А. Шабалдин, “Температурная зависимость атомной структуры и электрической активности дефектов в термоэлектрике ZnSb, слабо легированном медью”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1168–1175 ; L. V. Prokof'eva, F. S. Nasredinov, P. P. Konstantinov, A. A. Shabaldin, “Temperature dependence of the atomic structure and electrical activity of defects in ZnSb thermoelectric lightly doped with copper”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1119–1126 |
1
|
| 3. |
Л. В. Прокофьева, Ф. С. Насрединов, П. П. Константинов, А. А. Шабалдин, “Оптимальный рабочий диапазон температур и оценка срока службы термоэлектрика ZnSb:0.1 ат% Cu”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1055–1059 ; L. V. Prokof'eva, F. S. Nasredinov, P. P. Konstantinov, A. A. Shabaldin, “Optimum operating-temperature range and lifetime estimate for ZnSb:0.1 at % Cu thermoelectrics”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1012–1016 |
|
2016 |
| 4. |
Л. В. Прокофьева, П. П. Константинов, А. А. Шабалдин, “Примесь олова в термоэлектрике ZnSb: генерация и компенсация носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 757–766 ; L. V. Prokof'eva, P. P. Konstantinov, A. A. Shabaldin, “On the tin impurity in the thermoelectric compound ZnSb: Charge-carrier generation and compensation”, Semiconductors, 50:6 (2016), 741–750 |
6
|
|
2014 |
| 5. |
Л. В. Прокофьева, П. П. Константинов, А. А. Шабалдин, Д. А. Пшенай-Северин, А. Т. Бурков, М. И. Федоров, “Легирование и дефектообразование в термоэлектрике ZnSb с примесью меди”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1611–1620 ; L. V. Prokof'eva, P. P. Konstantinov, A. A. Shabaldin, D. A. Pshenay-Severin, A. T. Burkov, M. I. Fedorov, “Doping and defect formation in thermoelectric ZnSb doped with copper”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1571–1580 |
11
|
| 6. |
М. И. Федоров, Л. В. Прокофьева, Ю. И. Равич, П. П. Константинов, Д. А. Пшенай-Северин, А. А. Шабалдин, “Термоэлектрическая эффективность интерметаллида ZnSb”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 448–453 ; M. I. Fedorov, L. V. Prokof'eva, Yu. I. Ravich, P. P. Konstantinov, D. A. Pshenay-Severin, A. A. Shabaldin, “Thermoelectric efficiency of intermetallic compound ZnSb”, Semiconductors, 48:4 (2014), 432–437 |
20
|
|
2012 |
| 7. |
Л. В. Прокофьева, Ю. И. Равич, Д. А. Пшенай-Северин, П. П. Константинов, А. А. Шабалдин, “Резонансные состояния, тяжелые квазичастицы и термоэлектрическая эффективность материалов A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 889–895 ; L. V. Prokof'eva, Yu. I. Ravich, D. A. Pshenay-Severin, P. P. Konstantinov, A. A. Shabaldin, “Resonance states, heavy quasiparticles, and the thermoelectric figure of merit of IV–VI materials”, Semiconductors, 46:7 (2012), 866–872 |
6
|
|
1992 |
| 8. |
Г. Т. Алексеева, Б. Г. Земсков, П. П. Константинов, Л. В. Прокофьева, К. Т. Уразбаева, “Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 358–367 |
|
1990 |
| 9. |
Г. Т. Алексеева, А. Н. Вейс, Е. А. Гуриева, Т. Б. Жукова, Л. В. Прокофьева, “Примесные состояния индия в PbS”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2155–2159 |
|
1989 |
| 10. |
Ю. А. Дегтярев, П. П. Константинов, X. Р. Майлина, Л. В. Прокофьева, “Переменная валентность в твердом растворе
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.15}$), легированном натрием”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1576–1580 |
| 11. |
А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Примесь индия в селениде свинца — центр с отрицательной
корреляционной энергией”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1230–1234 |
|
1987 |
| 12. |
Н. С. Беспалова, А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, Х. Р. Майлина, “Квазилокальные уровни в PbSe$\langle$In$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2091–2094 |
| 13. |
Л. В. Прокофьева, Е. А. Гуриева, Ш. М. Жумаксанов, П. П. Константинов, Х. Р. Майлина, “Особенности донорного действия индия в PbSe”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1778–1782 |
| 14. |
А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Энергетические уровни, связанные с собственными дефектами
в электронном сульфиде свинца”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 743–746 |
| 15. |
Л. В. Прокофьева, Ш. М. Жумаксанов, Х. Р. Майлина, “Исследование механизма изовалентно-акцепторного легирования PbSe
методом эффекта Зеебека”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 310–313 |
|
1986 |
| 16. |
Е. А. Гуриева, Л. В. Прокофьева, Ю. И. Равич, Х. Р. Майлина, “Дырочная проводимость и дефектообразование в селениде свинца
$n$- и $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1823–1828 |
| 17. |
А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Исследование резонансных состояний, связанных с собственными дефектами в $p$-PbSe”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 160–161 |
|
1985 |
| 18. |
Е. А. Гуриева, Л. В. Прокофьева, Ю. И. Равич, С. В. Зарубо, К. Г. Гарцман, “Особенности рассеяния дырок изовалентной примесью олова в PbSe,
приводящие к сильному снижению подвижности”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1746–1749 |
| 19. |
Л. В. Прокофьева, А. Н. Вейс, “О природе разновалентных состояний примесей IV группы
в халькогенидах свинца”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 941–944 |
|
1984 |
| 20. |
А. Н. Вейс, Е. А. Гуриева, О. Г. Нефедов, Л. В. Прокофьева, “Особенности спектров поглощения
$p$-PbSe с изовалентными примесями замещения”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1723–1726 |
|
1983 |
| 21. |
В. В. Тетеркин, Ф. Ф. Сизов, Л. В. Прокофьева, Ю. С. Громовой, М. Н. Виноградова, “Резонансные состояния примесей переходных элементов (Ti, Cr)
в РbТе”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 782–785 |
|
