|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
Ю. Пожела, К. Пожела, А. Шиленас, Э. Ширмулис, И. Кашалинас, В. Юцене, Р. Венкевичиюс, “Термостимулированное излучение в диапазоне 3–15 ТГц на частотах плазмон-фононов в полярных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1597–1601   ; Yu. Pozhela, K. Požela, A. Shilenas, E. Shirmulis, I. Kašalynas, V. Juciené, R. Venckevičius, “Thermally stimulated 3–15 THz emission at plasmon-phonon frequencies in polar semiconductors”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1557–1561 |
2
|
|
2013 |
| 2. |
А. Л. Шиленас, Ю. К. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, Е. А. Климов, “Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 348–352 ; A. L. Shilenas, Yu. K. Pozhela, K. Požela, V. Juciené, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, E. A. Klimov, “Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts”, Semiconductors, 47:3 (2013), 372–375 |
10
|
|
1988 |
| 3. |
А. А. Каваляускас, Г. П. Пека, П. В. Приступа, А. Н. Смоляр, С. Д. Черюканов, А. Л. Шиленас, Е. А. Шимулите, “Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных
$p^{+}{-}n$-гетероструктур из Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2177–2181 |
|
1986 |
| 4. |
А. А. Каваляускас, А. Л. Шиленас, Е. А. Шимулите, “Электродвижущая сила, возникающая при резком изменении давления на полупроводниковые структуры”, Письма в ЖТФ, 12:22 (1986), 1399–1402  |
|
