|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, “Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1267–1288   ; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, Yu. P. Yakovlev, P. S. Kop'ev, “Radiative recombination and impact ionization in semiconductor nanostructures (review)”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547 |
2
|
|
2013 |
| 2. |
А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, К. В. Калинина, Н. Д. Стоянов, Х. М. Салихов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1270–1275 ; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, K. V. Kalinina, N. D. Stoyanov, Kh. M. Salikhov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “High-temperature luminescence in an $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb light-emitting heterostructure with a high potential barrier”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1258–1263 |
2
|
| 3. |
К. В. Калинина, М. П. Михайлова, Б. Е. Журтанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 75–82 ; K. V. Kalinina, M. P. Mikhailova, B. E. Zhurtanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Superlinear electroluminescence in GaSb-based heterostructures with high potential barriers”, Semiconductors, 47:1 (2013), 73–80 |
10
|
|
