|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. Б. Черемисин, Н. А. Кулдин, “Коррелированное изменение электрических характеристик тонкопленочного полевого транзистора при модификации физических свойств его оксидного полупроводникового канала (InZnO : N)”, Письма в ЖТФ, 44:20 (2018), 95–101   ; A. B. Cheremisin, N. A. Kuldin, “Correlated variation of electrical characteristics of a thin-film field-effect transistor during modification of the physical properties of an InZnO : N oxide semiconductor channel”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 946–948 |
|
2015 |
| 2. |
В. В. Путролайнен, А. А. Величко, П. П. Борисков, А. Л. Пергамент, Г. Б. Стефанович, Н. А. Кулдин, “Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au”, Письма в ЖТФ, 41:14 (2015), 16–24 ; V. V. Putrolaynen, A. A. Velichko, P. P. Boriskov, A. L. Pergament, G. B. Stefanovich, N. A. Kuldin, “Electroforming and bipolar resistive switching in Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au binary oxide structure”, Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 672–675 |
7
|
|
