|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
Н. А. Валишева, О. Е. Терещенко, И. П. Просвирин, А. В. Калинкин, В. А. Голяшов, Т. А. Левцова, В. И. Бухтияров, “Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 569–575   ; N. A. Valisheva, O. E. Tereshchenko, I. P. Prosvirin, A. V. Kalinkin, V. A. Golyashov, T. A. Levtsova, V. I. Bukhtiyarov, “Formation of anodic layers on InAs (111)III. Study of the chemical composition”, Semiconductors, 46:4 (2012), 545–551 |
6
|
|
