P. P. Konorov, A. M. Yafyasov and V. B. Bogevolnov.
Field-Effect in Semiconductor-electrolyte interface: Application to Investigations of Electronic Properties of the Semiconductor Surfaces. Princeton, Oxford University Press USA, 2006. ISBN 06911211761
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, Е. И. Рюмцев, А. П. Ковшик, В. Ю. Михайловский, “Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 202–204; A. M. Yafyasov, V. B. Bozhevol'nov, E. I. Ryumtsev, A. P. Kovshik, V. Yu. Mikhailovskii, “New mechanism of semiconductor polarization at the interface with an organic insulator”, Semiconductors, 51:2 (2017), 193–195
2016
2.
B. Pavlov, A. Yafyasov, “Resonance scattering across the superlattice barrier and the dimensional quantization”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:5 (2016), 816–834
3.
I. Yu. Popov, P. A. Kurasov, S. N. Naboko, A. A. Kiselev, A. E. Ryzhkov, A. M. Yafyasov, G. P. Miroshnichenko, Yu. E. Karpeshina, V. I. Kruglov, T. F. Pankratova, A. I. Popov, “A distinguished mathematical physicist Boris S. Pavlov”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:5 (2016), 782–788
В. Б. Божевольнов, А. М. Яфясов, В. Ю. Миайловский, Ю. В. Егорова, А. А. Соколов, Е. О. Филатова, “Электрофизические свойства многослойной структуры SiC–Si”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 814–817; V. B. Bozhevol'nov, A. M. Yafyasov, V. Yu. Miailovskii, Yu. V. Egorova, A. A. Sokolov, E. O. Filatova, “Electrical properties of a SiC–Si multilayer structure”, Semiconductors, 48:6 (2014), 792–795
5.
И. С. Дубицкий, А. М. Яфясов, “Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 327–333; I. S. Dubitskiy, A. M. Yafyasov, “On the field effect in thin films of semiconductors with Kane’s charge-carrier dispersion relation”, Semiconductors, 48:3 (2014), 312–319
Г. Н. Фурсей, А. А. Кантонистов, М. А. Поляков, А. М. Яфясов, Б. С. Павлов, В. Б. Божевольнов, “Автоэлектронная и взрывная эмиссия из графеноподобных структур”, ЖТФ, 83:6 (2013), 71–77; G. N. Fursei, A. A. Kantonistov, M. A. Polyakov, A. M. Yafyasov, B. S. Pavlov, V. B. Bozhevol'nov, “Field and explosive emissions from graphene-like structures”, Tech. Phys., 58:6 (2013), 845–851
Д. Е. Цуриков, А. М. Яфясов, “Квантовый самосогласованный расчет дифференциальной емкости полупроводниковой пленки”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1169–1174; D. E. Tsurikov, A. M. Yafyasov, “Quantum self-consistent calculation of the differential capacitance of a semiconductor film”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1157–1163
Д. Е. Цуриков, А. М. Яфясов, “Логический элемент NOT в двумерном электронном волноводе”, ЖТФ, 81:9 (2011), 12–15; D. E. Tsurikov, A. M. Yafyasov, “Logical element NOT in a two-dimensional electron waveguide”, Tech. Phys., 56:9 (2011), 1231–1234
N. Bagraev, G. Martin, B. S. Pavlov, A. Yafyasov, “Landau–Zener effect for a quasi-2D periodic sandwich”, Наносистемы: физика, химия, математика, 2:4 (2011), 32–50
2010
10.
G. Martin, A. M. Yafyasov, B. S. Pavlov, “Resonance one-body scattering on a junction”, Наносистемы: физика, химия, математика, 1:1 (2010), 108–147
1992
11.
А. М. Яфясов, А. Д. Перепелкин, В. Б. Божевольнов, “Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля в электролитах”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 636–643
1991
12.
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, А. Д. Перепелкин, “Электрофизические свойства слоистой структуры на основе (CdHg)Te
в системе полупроводник$-$электролит”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1339–1343
13.
А. М. Яфясов, А. Д. Перепелкин, “Исследование скоростей заполнения квантовых подзон ОПЗ узкощелевых
полупроводников (CdHg)Te”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 748–750
14.
А. Д. Перепелкин, А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, “Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых
полупроводников Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом эффекта поля в электролите”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 156–159
1990
15.
А. М. Яфясов, А. Д. Перепелкин, Ю. Н. Мясоедов, М. В. Матвиив, “Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов
(MnHg)Te”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 875–878
1987
16.
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, А. Д. Перепелкин, “Эффект поля на бесщелевом полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1144–1147
17.
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, А. Д. Переплкин, “Исследование плотности электронных состояний в разрешенных зонах на
поверхности
(CdHg)Te”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 633–637
1986
18.
В. В. Монахов, А. М. Яфясов, О. В. Романов, “Определение плотности состояний в разрешенных зонах антимонида индия
и сульфида свинца”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 954–957
1984
19.
В. Я. Урицкий, О. В. Романов, А. М. Яфясов, “Характеристики межфазовой границы Si$-$SiO$_{2}$ и поверхностная подвижность дырок в инверсионном слое”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 393–397
1983
20.
М. В. Капитонов, О. В. Романов, А. М. Яфясов, “Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов
на полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 818–823
