|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. В. Бакин, С. Н. Косолобов, С. А. Рожков, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 180–184   ; V. V. Bakin, S. N. Kosolobov, S. A. Rozhkov, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, “Atomic rearrangements and photoemission processes at a $p$-GaN(Cs)-vacuum interface”, JETP Letters, 108:3 (2018), 180–184   |
2
|
|
2016 |
| 2. |
С. А. Рожков, В. В. Бакин, Д. В. Горшков, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 128–132 ; S. A. Rozhkov, V. V. Bakin, D. V. Gorshkov, S. N. Kosolobov, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, “Optical phonon cascade emission by photoelectrons at a p-GaN (Cs,O)-vacuum interface”, JETP Letters, 104:2 (2016), 135–139 |
6
|
|
2015 |
| 3. |
В. В. Бакин, К. В. Торопецкий, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,O)”, Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015), 414–418 ; V. V. Bakin, K. V. Toropetsky, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, “Nonlocal and local mechanisms of cesium-induced chemisorption of oxygen on a $p$-GaAs(Cs,O) surface”, JETP Letters, 101:6 (2015), 380–384 |
4
|
|
2008 |
| 4. |
К. В. Торопецкий, О. Е. Терещенко, А. С. Терехов, “Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)”, Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008), 597–600 ; K. V. Toropetskiy, O. E. Tereshchenko, A. S. Terekhov, “Energy threshold of Cs-induced chemisorption of oxygen on a GaAs(Cs, O) surface”, JETP Letters, 88:8 (2008), 520–523 |
5
|
|
2006 |
| 5. |
Д. А. Орлов, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, “Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006), 525–529 ; D. A. Orlov, V. L. Alperovich, A. S. Terekhov, “Spin-dependent photoemission induced by a jump in the electron g-factor at the p-GaAs(Cs,O)-vacuum interface”, JETP Letters, 83:10 (2006), 453–457 |
3
|
|
2004 |
| 6. |
А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В. Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004), 592–596 ; A. A. Pakhnevich, V. V. Bakin, A. V. Yaz'kov, G. È. Shaibler, S. V. Shevelev, O. E. Tereshchenko, A. S. Yaroshevich, A. S. Terekhov, “Energy distributions of photoelectrons emitted from $p$-GaN(Cs, O) with effective negative electron affinity”, JETP Letters, 79:10 (2004), 479–483 |
21
|
| 7. |
О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, “Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия”, Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004), 163–167 ; O. E. Tereshchenko, V. L. Alperovich, A. S. Terekhov, “Decrease in the bond energy of arsenic atoms on the GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) surface due to the effect of adsorbed cesium”, JETP Letters, 79:3 (2004), 131–135 |
26
|
|
2003 |
| 8. |
В. В. Бакин, А. А. Пахневич, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из $\mathbf{p}^+$-GaAs-(Cs,O)”, Письма в ЖЭТФ, 77:4 (2003), 197–201 ; V. V. Bakin, A. A. Pakhnevich, S. N. Kosolobov, G. È. Shaibler, A. S. Yaroshevich, A. S. Terekhov, “Refraction of thermalized electrons emitted ballistically into vacuum from $p^+$-GaAs-(Cs,O)”, JETP Letters, 77:4 (2003), 167–171 |
10
|
|
1990 |
| 9. |
В. Л. Альперович, А. О. Минаев, Н. С. Рудая, А. С. Терехов, “Релаксация импульса фотоэлектронов на поверхности GaAs в эффекте магнитоиндуцированной поляризационно-зависимой фотопроводимости”, Физика твердого тела, 32:7 (1990), 2152–2154 |
| 10. |
В. И. Белиничер, А. Г. Паулиш, И. В. Рыженкова, А. С. Терехов, С. В. Шевелев, “Захват фотоэлектронов на дефекты поверхности при фотоэмиссии из арсенида галлия в вакуум”, Физика твердого тела, 32:4 (1990), 1194–1200 |
1
|
| 11. |
В. Л. Альперович, А. О. Минаев, С. П. Мощенко, А. С. Терехов, “Поляризационная зависимость экситонной фотоэдс на границе арсенид галлия$-$металл”, Физика твердого тела, 32:3 (1990), 950–952 |
|
1988 |
| 12. |
В. Л. Альперович, В. И. Белиничер, А. О. Минаев, С. П. Мощенко, А. С. Терехов, “Баллистический фотогальванический эффект на межзонных переходах в арсениде галлия”, Физика твердого тела, 30:10 (1988), 3111–3117 |
1
|
| 13. |
В. И. Белиничер, А. В. Браславец, А. С. Терехов, “Механизмы поляризационной зависимости фотопроводимости изотропизованных электронов в кубических полупроводниках”, Физика твердого тела, 30:2 (1988), 342–347 |
|
1984 |
| 14. |
В. Л. Альперович, С. П. Мощенко, А. С. Терехов, “Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия–металл. Проявление в спектрах фотоэдс”, Физика твердого тела, 26:12 (1984), 3532–3536 |
| 15. |
А. П. Савченко, А. С. Терехов, В. И. Юдаев, “Определение состава гетероэпитаксиальных структур методом электромодулированной фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 551–553 |
|
1983 |
| 16. |
В. Л. Альперович, С. П. Мощенко, А. С. Терехов, “Механизмы влияния магнитного поля на баллистические фототоки”, Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2780–2782 |
|
Обратная связь: