|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. Э. Климов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, О. Е. Терещенко, “МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 243–249   |
|
2020 |
| 2. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1122–1128 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestnyi, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, V. S. Epov, “Features of MIS structures based on insulating PbSnTe:In films with the composition in the vicinity of the band inversion related to their ferroelectric properties”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331 |
1
|
| 3. |
А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, “Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 796–800 ; A. N. Akimov, I. O. Akhundov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, N. S. Pschin, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Sign-alternating photoconductivity in PbSnTe : In films in the space-charge-limited current regime”, Semiconductors, 54:8 (2020), 951–955 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
Д. В. Ищенко, И. Г. Неизвестный, “Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 694–698 ; D. V. Ishchenko, I. G. Neizvestnyi, “Radiative recombination, carrier capture at traps, and photocurrent relaxation in PbSnTe : In with a composition close to band inversion”, Semiconductors, 52:7 (2018), 836–839 |
| 5. |
A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz, “Concentric GaAs nanorings growth modelling”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 520 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 639–644 |
2
|
|
2016 |
| 6. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумский, В. С. Эпов, “Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 447–453 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, V. N. Shumskii, V. S. Epov, “Specific temperature-related features of photoconductivity relaxation in PbSnTe:In films under interband excitation”, Semiconductors, 50:4 (2016), 440–446 |
4
|
|
2015 |
| 7. |
М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц, “Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 63–70 ; M. V. Knyazeva, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestnyi, N. L. Shwartz, “Simulated growth of GaAs nanowires: Catalytic and self-catalyzed growth”, Semiconductors, 49:1 (2015), 60–68 |
11
|
| 8. |
И. Г. Неизвестный, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, “Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра”, УФН, 185:10 (2015), 1031–1042 ; I. G. Neizvestnyi, A. E. Klimov, V. N. Shumsky, “Photon far-infrared and submillimeter array detectors”, Phys. Usp., 58:10 (2015), 952–962   |
4
|
|
2014 |
| 9. |
Е. А. Михантьев, И. Г. Неизвестный, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц, “Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 917–925 ; E. A. Mikhantiev, I. G. Neizvestnyi, S. V. Usenkov, N. L. Shwartz, “Monte Carlo simulation of the effect of silicon monoxide on silicon-nanocluster formation”, Semiconductors, 48:7 (2014), 891–898 |
3
|
|
2010 |
| 10. |
А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц, З. Ш. Яновицкая, “Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло”, Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 130–135 ; A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestnyi, N. L. Shwartz, Z. Sh. Yanovitskaya, “Monte Carlo simulation of growth of nanowhiskers”, Semiconductors, 44:1 (2010), 127–132 |
|
2003 |
| 11. |
И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором”, Письма в ЖЭТФ, 78:12 (2003), 1289–1292 ; I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Charge accumulation in Ge quantum dots in a GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Ge floating gate transistor structure”, JETP Letters, 78:12 (2003), 768–771 |
| 12. |
И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 184–187 ; I. Yu. Borodin, I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, A. B. Talochkin, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Electric and photoelectric properties of GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al structures with Ge quantum dots”, JETP Letters, 78:3 (2003), 152–155 |
1
|
|
1991 |
| 13. |
А. Б. Талочкин, В. А. Марков, И. Г. Неизвестный, О. П. Пчеляков, М. П. Синюков, С. И. Стенин, “Квантование спектра оптических фононов в Si$-$Si$_{0.5}$Ge$_{0.5}$ сверхрешетках”, Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1695–1698 |
|
1989 |
| 14. |
О. А. Макаров, И. Г. Неизвестный, М. П. Синюков, “Взаимодействие валентных и остовных электронов в полупроводниках”, Физика твердого тела, 31:12 (1989), 32–36 |
| 15. |
В. А. Гайслер, О. А. Кузнецов, И. Г. Неизвестный, Л. К. Орлов, М. П. Синюков, А. Б. Талочкин, “Комбинационное рассеяние света на локальных колебаниях твердых растворов Ge$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 292–297 |
|
1988 |
| 16. |
В. А. Гайслер, И. Г. Неизвестный, М. П. Синюков, А. Б. Талочкин, “Ангармонизм оптических фононов германия вблизи поверхности кристалла”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 806–809 |
|
1987 |
| 17. |
И. Г. Неизвестный, И. К. Олзоев, А. М. Палкин, О. А. Шегай, “Магниторезонансные осцилляции фотомагнитного эффекта в $n$-Ge”, Физика твердого тела, 29:2 (1987), 570–572 |
|
1986 |
| 18. |
И. Г. Неизвестный, Ю. А. Пусеп, М. П. Синюков, “Эффекты локализации, индуцированные колебаниями решетки”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3197–3200 |
|
1985 |
| 19. |
З. Д. Квон, И. Г. Неизвестный, В. Н. Овсюк, “Влияние поверхностной сверхрешетки на двумерный газ электронов”, УФН, 146:2 (1985), 353–355 ; Z. D. Kvon, I. G. Neizvestnyi, V. N. Ovsyuk, “Effect of a surface superlattice on a two-dimensional electron gas”, Phys. Usp., 28:6 (1985), 528–530 |
|
1984 |
| 20. |
И. Г. Неизвестный, Ю. А. Пусеп, М. П. Синюков, “Применимость шестизонной модели к расчету закона дисперсии соединений Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1875–1877 |
|
|
|
2012 |
| 21. |
А. Л. Асеев, А. В. Двуреченский, И. Г. Неизвестный, Г. А. Качурин, В. П. Попов, А. А. Гиппиус, В. Н. Мордкович, “Леонид Степанович Смирнов к 80-летию со дня рождения (1932–2011)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 861–863 |
|
2011 |
| 22. |
В. Б. Бетелин, Е. П. Велихов, Ю. В. Гуляев, А. А. Кокин, Ю. В. Копаев, Г. Я. Красников, Ф. А. Кузнецов, В. Ф. Лукичев, И. Г. Неизвестный, А. А. Орликовский, А. В. Раков, Ю. А. Чаплыгин, “Памяти Камиля Ахметовича Валиева”, УФН, 181:5 (2011), 557–558 ; V. B. Betelin, E. P. Velikhov, Yu. V. Gulyaev, A. A. Kokin, Yu. V. Kopaev, G. Ya. Krasnikov, F. A. Kuznetsov, V. F. Lukichev, I. G. Neizvestnyi, A. A. Orlikovsky, A. V. Rakov, Yu. A. Chaplygin, “In memory of Kamil' Akhmetovich Valiev”, Phys. Usp., 54:5 (2011), 533–534 |
|
Обратная связь: