|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. В. Емцев, Н. А. Соболев, Г. А. Оганесян, А. Е. Калядин, В. В. Топоров, Д. С. Полоскин, А. М. Маляренко, “Фотолюминесценция, связанная с дислокациями в кремнии, пластически деформированном при изгибе центральной симметрии”, Физика твердого тела, 67:5 (2025), 810–816   |
|
2022 |
| 2. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, S. B. Lastovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, A. A. Aref'ev, “Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation”, Физика твердого тела, 64:12 (2022), 1915 |
|
2020 |
| 3. |
V. V. Emtsev, G. A. Oganesyan, “Towards the modeling of impurity-related defects in irradiated $n$-type germanium: a challenge to theory”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1188 ; Semiconductors, 54:11 (2020), 1388–1394 |
| 4. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 45 ; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 |
1
|
|
2018 |
| 5. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1578 ; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 |
2
|
| 6. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
|
2017 |
| 7. |
V. V. Emtsev, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1632–1646 ; Semiconductors, 51:12 (2017), 1571–1587 |
3
|
|
2016 |
| 8. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1313–1319 ; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 |
8
|
| 9. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
| 10. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, А. В. Сахаров, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, “Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 80–86 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, “The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703 |
6
|
|
2014 |
| 11. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1592–1596 ; Semiconductors, 48:12 (2014), 1552–1556 |
3
|
| 12. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1473–1478 ; Semiconductors, 48:11 (2014), 1438–1443 |
12
|
|
2012 |
| 13. |
V. V. Emtsev, A. M. Ivanov, V. V. Kozlovski, A. A. Lebedev, G. A. Oganesyan, N. B. Strokan, G. Wagner, “Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 473–481 ; Semiconductors, 46:4 (2012), 456–465 |
33
|
|
1992 |
| 14. |
В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев, “Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78
и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 574–577 |
| 15. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 22–44 |
|
1991 |
| 16. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, В. И. Фистуль, Ю. В. Шмарцев, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия
с собственными дефектами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 997–1003 |
| 17. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, К. М. Миразизян, “Зависимость скорости образования вторичных дефектов в $p$-Si
от интенсивности электронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 561–564 |
| 18. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном
$\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 191–196 |
| 19. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, Т. В. Машовец, “Влияние параметров электронного облучения на сечение образования
собственных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 45–49 |
| 20. |
В. В. Емцев, Ю. Н. Далуда, “Образование дефектов в монокристаллических пленках
Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ при «подпороговом» и «надпороговом» облучении”, Письма в ЖТФ, 17:20 (1991), 84–88  |
|
1990 |
| 21. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, Т. В. Машовец, К. М. Миразизян, “Влияние условий электронного облучения на скорость образования
$A$-центров в $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1209–1212 |
| 22. |
В. В. Емцев, Ю. Н. Далуда, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, В. Б. Неймаш, Р. С. Антоненко, К. Шмальц, “Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии
при «горячем» $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 374–376 |
|
1989 |
| 23. |
В. В. Михнович, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Н. А. Витовский, “Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 306–308 |
| 24. |
А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние параметров импульсного электронного облучения
на эффективность образования дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2221–2223 |
| 25. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, Д. С. Полоскин, “Эффективность образования точечных дефектов
в $n$- и $p$-Ge в условиях
облучения при 77 и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 425–428 |
| 26. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на
энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 184–185 |
|
1988 |
| 27. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы
в $n$-германии”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1483–1486 |
| 28. |
В. В. Емцев, А. В. Дабагян, Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, “Основные характеристики пары Френкеля в германии”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 924–926 |
| 29. |
А. В. Дабагян, В. В. Емцев, “Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии $n$-типа
при низкотемпературном гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 747–750 |
| 30. |
А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние интенсивности импульсного электронного облучения
на образование дефектов в $p$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 502–504 |
|
1987 |
| 31. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, А. Г. Абдусаттаров, “Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами
фосфора в кремнии $n$-типа при электронном (импульсном) облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2106–2109 |
| 32. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, А. В. Дабагян, “Равновесный уровень заполнения вакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1888–1892 |
| 33. |
Н. А. Витовский, А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов
в $n$-германии при электронном и гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1826–1831 |
| 34. |
Ю. Н. Далуда, В. В. Емцев, П. Д. Кервалишвили, В. И. Петров, К. Шмальц, “Влияние термообработки на перестройку кислородосодержащих дефектов
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1283–1288 |
| 35. |
В. В. Емцев, Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, “Энергетический спектр и процессы миграции компонентов пары Френкеля
в германии”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 145–149 |
|
1986 |
| 36. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Ионизационно-стимулированный отжиг пар Френкеля в германии и кремнии
в условиях электронного и гамма-облучения при гелиевых температурах”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 840–843 |
| 37. |
Н. Ю. Арутюнов, В. В. Емцев, В. Ю. Тращаков, Э. Э. Рубинова, “Анизотропия угловых распределений аннигиляционных гамма-квантов,
обусловленная радиационными дефектами в нейтронно-облученном германии”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 552–555 |
| 38. |
А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, В. Н. Ломасов, Т. В. Машовец, “Скорость образования $A$-центров в кремнии при электронном импульсном
облучении”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 164–167 |
| 39. |
А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Связывание доноров у группы в электрически неактивные комплексы при облучении П-германия электронами с энергией 1 МэВ”, Письма в ЖТФ, 12:23 (1986), 1461–1464 |
|
1985 |
| 40. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Различие процессов образования дефектов под действием гамма-лучей
в $p$-кремнии при 6.5 и 78 K”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 296–299 |
|
1984 |
| 41. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии
как центра с отрицательной корреляционной энергией”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1516–1519 |
| 42. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием
гамма-лучей при 6.5 K”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1505–1508 |
| 43. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, “Точечные дефекты, возникающие в кремнии с примесью бора, галлия
и индия при низкотемпературном гамма-облучении”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984), 1063–1065 |
1
|
|
1983 |
| 44. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “О распределении пар Френкеля, возникающих в германии
при облучении, по расстояниям между их компонентами”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1985–1990 |
| 45. |
Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, “Рекомбинационные центры радиационного происхождения в германии
$n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 724–725 |
| 46. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Об энергетическом спектре вакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 350–352 |
| 47. |
Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, “Процессы дефектообразования в Ge$\langle\text{Hg}\rangle$ при
гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 173–176 |
| 48. |
Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота
с собственными дефектами в германии”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 52–56 |
| 49. |
Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии
при гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 35–39 |
|
|
|
2012 |
| 50. |
В. Н. Брудный, В. Т. Бублик, Б. Н. Гощицкий, В. В. Емцев, Ю. А. Казанский, Р. Ф. Коноплева, Ю. В. Конобеев, Н. Г. Колин, И. И. Кузьмин, В. Н. Мордкович, Р. П. Озеров, В. Б. Освенский, А. А. Стук, В. А. Харченко, “Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932–2000)”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1374–1375 |
|
