С. Е. Красавин, “О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 616–619; S. E. Krasavin, “Effect of charged dislocation walls on mobility in GaN epitaxial layers”, Semiconductors, 46:5 (2012), 598–601
