|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. Е. Белова, С. Г. Шемардов, С. С. Фанченко, Е. А. Головкова, О. А. Кондратьев, “Имплантация ионов кремния в сапфир: малые дозы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 766–770   ; N. E. Belova, S. G. Shemardov, S. S. Fanchenko, E. A. Golovkova, O. A. Kondratev, “Implantation of silicon ions into sapphire: low doses”, Semiconductors, 54:8 (2020), 912–915 |
|
2018 |
| 2. |
А. В. Рогов, Ю. В. Мартыненко, Ю. В. Капустин, С. С. Фанченко, Н. Е. Белова, “Исследование оптического Mo/Mo нанокристаллического покрытия, полученного напылением с одновременным ионным распылением”, ЖТФ, 88:5 (2018), 722–732 ; A. V. Rogov, Yu. V. Martynenko, Yu. V. Kapustin, S. S. Fanchenko, N. E. Belova, “Analysis of the Mo/Mo nanocrystalline optical coating obtained with the aid of simultaneous deposition and ion sputtering”, Tech. Phys., 63:5 (2018), 700–710 |
4
|
|
2015 |
| 3. |
П. А. Александров, Н. Е. Белова, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, “Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1124–1128 ; P. A. Aleksandrov, N. E. Belova, K. D. Demakov, S. G. Shemardov, “On the generation of charge-carrier recombination centers in the sapphire substrates of silicon-on-sapphire structures”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1099–1103 |
6
|
|
2013 |
| 4. |
Ю. В. Мартыненко, С. Н. Коршунов, Н. Е. Белова, И. Д. Скорлупкин, “Выделение алмазоподобной пленки на поверхность никеля при ионной
имплантации углерода с одновременным облучением электронами”, Письма в ЖЭТФ, 97:10 (2013), 675–681 ; Yu. V. Martynenko, S. N. Korshunov, N. E. Belova, I. D. Skorlupkin, “Release of a diamond-like film on a nickel surface irradiated simultaneously with carbon ions and electrons”, JETP Letters, 97:10 (2013), 588–593   |
3
|
|
