Персоналии RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB     Микаелян Геворк Татевосович доктор физико-математических наук E-mail: https://www.mathnet.ru/rus/person83262 Список публикаций на Google Scholar Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования 2024 1. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Г. Т. Микаелян, “Неоднородное распределение усиления вдоль оси резонатора и эффективность генерации в диодном лазере”, Квантовая электроника, 54:10 (2024),  593–599   [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, G. T. Mikayelyan, “Nonuniform distribution of gain along the cavity axis and lasing efficiency in a diode laser”, Bull. Lebedev Physics Institute, 52:suppl. 3 (2025), S227–S237] 2023 2. А. В. Березуцкий, Г. Т. Микаелян, С. Д. Таривердиев, “Применение метода рентгеновской рефлектометрии для определения градиентов состава на границе квантовой ямы в лазерных структурах на основе системы AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  779–783     3. С. Д. Таривердиев, А. Е. Дракин, О. В. Пагаев, Г. Т. Микаелян, А. Л. Коромыслов, А. В. Березуцкий, А. И. Демидчик, “Исследование однородности распределения накачки в активном элементе в виде стержня мощных квантронов с диодной накачкой”, Письма в ЖТФ, 49:13 (2023),  43–46     4. С. Д. Таривердиев, А. Е. Дракин, О. В. Пагаев, Г. Т. Микаелян, А. Л. Коромыслов, А. В. Березуцкий, А. И. Демидчик, “Однородное распределение люминесценции в активном элементе мощных квантронов с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 53:9 (2023),  689–694   5. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Г. Т. Микаелян, В. А. Панарин, “Структура аксиальных мод диодного лазера с внешним резонатором, содержащим объемную фазовую решетку”, Квантовая электроника, 53:7 (2023),  519–526   [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, G. T. Mikayelyan, V. A. Panarin, “Structure of axial modes of a diode laser with an external cavity containing a volume phase grating”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 11 (2023), S1169–S1180] 2022 6. В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов, “Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 52:9 (2022),  789–793   [V. A. Panarin, G. T. Mikayelyan, I. V. Galushka, N. N. Begletsova, I. A. Zimin, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, T. I. Gushchik, A. P. Bogatov, “High-power, narrow-band radiation source based on integrated external-cavity laser diodes”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 1 (2023), S11–S17] 1 7. Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, “Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров”, Квантовая электроника, 52:8 (2022),  728–730   [N. S. Utkov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, “Effect of the thickness of the passivating reactive titanium layer of mirror facets on the electrical characteristics of diode lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 49:suppl. 1 (2022), S53–S57] 2019 8. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, “Когерентное сложение оптических пучков диодных излучателей в системе задающий генератор – зигзагообразный усилитель мощности”, Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1014–1018     [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, “Coherent combining of diode laser beams in a master oscillator – zigzag slab power amplifier system”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1014–1018    ] 2 2018 9. В. В. Безотосный, В. П. Гордеев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Моделирование и экспериментальное изучение температурных профилей в непрерывных лазерных диодных линейках”, Квантовая электроника, 48:2 (2018),  115–118     [V. V. Bezotosnyi, V. P. Gordeev, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Modelling and experimental study of temperature profiles in cw laser diode bars”, Quantum Electron., 48:2 (2018), 115–118    ] 5 2017 10. В. В. Безотосный, А. А. Козырев, Н. С. Кондакова, С. А. Кондаков, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм”, Квантовая электроника, 47:1 (2017),  5–6     [V. V. Bezotosnyi, A. A. Kozyrev, N. S. Kondakova, S. A. Kondakov, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Quasi-cw 808-nm 300-W laser diode arrays”, Quantum Electron., 47:1 (2017), 5–6    ] 4 2013 11. Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая, “Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм”, Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511     [N. S. Degtyareva, S. A. Kondakov, G. T. Mikayelyan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, I. V. Yarotskaya, “High-power cw laser bars of the 750 – 790-nm wavelength range”, Quantum Electron., 43:6 (2013), 509–511    ] 7 12. И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, Е. В. Бушуев, Г. Т. Микаелян, “Уширение и расщепление спектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле”, Квантовая электроника, 43:2 (2013),  144–146     [I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, E. V. Bushuev, G. T. Mikayelyan, “Broadening and splitting of emission spectra of a GaInAs/AlInAs quantum cascade laser in a quantising magnetic field”, Quantum Electron., 43:2 (2013), 144–146    ] 2012 13. А. В. Богачев, С. Г. Гаранин, А. М. Дудов, В. А. Ерошенко, С. М. Куликов, Г. Т. Микаелян, В. А. Панарин, В. О. Паутов, А. В. Рус, С. А. Сухарев, “Лазер на парах цезия с диодной накачкой и прокачкой лазерной среды по замкнутому циклу”, Квантовая электроника, 42:2 (2012),  95–98     [A. V. Bogachev, S. G. Garanin, A. M. Dudov, V. A. Yeroshenko, S. M. Kulikov, G. T. Mikaelyan, V. A. Panarin, V. O. Pautov, A. V. Rus, S. A. Sukharev, “Diode-pumped caesium vapour laser with closed-cycle laser-active medium circulation”, Quantum Electron., 42:2 (2012), 95–98    ] 214 14. А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая, В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений”, Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17     [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, I. V. Yarotskaya, V. A. Panarin, G. T. Mikaelyan, “Laser diode bars based on strain-compensated AlGaPAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 42:1 (2012), 15–17    ] 12 2010 15. И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, Г. Т. Микаелян, “Квантовый каскадный лазер (λ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 40:2 (2010),  95–97     [I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, G. T. Mikaelyan, “An 8-μm quantum cascade laserproduced by the metalorganic vapour phase epitaxy method”, Quantum Electron., 40:2 (2010), 95–97    ] 8 2009 16. В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт”, Квантовая электроника, 39:3 (2009),  241–243     [V. V. Bezotosnyi, V. Yu. Bondarev, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Laser diodes emitting up to 25 W at 808 nm”, Quantum Electron., 39:3 (2009), 241–243    ] 15 2008 17. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. Р. Мифтахутдинов, Г. Т. Микаелян, А. Н. Стародуб, “Импульсно-периодический лазер на неодимовом фосфатном стекле с резонансной накачкой диодными матрицами”, Квантовая электроника, 38:9 (2008),  805–812     [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, D. R. Miftakhutdinov, G. T. Mikayelyan, A. N. Starodub, “Diode-array-pumped repetitively pulsed neodymium phosphate glass laser”, Quantum Electron., 38:9 (2008), 805–812    ] 1 18. Ю. Н. Кульчин, А. В. Щербаков, В. П. Дзюба, С. С. Вознесенский, Г. Т. Микаелян, “Нелинейно-оптические свойства гетерогенных жидких нанофазных композитов на основе широкозонных наночастиц Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>”, Квантовая электроника, 38:2 (2008),  154–158     [Yu. N. Kulchin, A. V. Shcherbakov, V. P. Dzyuba, S. S. Voznesenskii, G. T. Mikayelyan, “Nonlinear-optical properties of heterogeneous liquid nanophase composites based on high-energy-gap Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> nanoparticles”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 154–158    ] 29 2006 19. Г. Т. Микаелян, “Исследование линеек полупроводниковых лазеров с неустойчивыми резонаторами”, Квантовая электроника, 36:6 (2006),  517–519     [G. T. Mikayelyan, “Study of unstable-resonator diode laser bars”, Quantum Electron., 36:6 (2006), 517–519    ] 20. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, Д. Р. Мифтахутдинов, В. И. Стадничук, А. Н. Стародуб, “Эффективность резонансной накачки и оптическое усиление в фосфатном Nd-стекле при возбуждении излучением диодных матриц”, Квантовая электроника, 36:4 (2006),  302–308     [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, D. R. Miftakhutdinov, V. I. Stadnichuk, A. N. Starodub, “Efficiency of resonance pumping and optical gain in a Nd-doped phosphate glass excited by diode arrays”, Quantum Electron., 36:4 (2006), 302–308    ] 3 21. Г. Т. Микаелян, “Анализ тепловых режимов мощных полупроводниковых лазеров и наборных решеток”, Квантовая электроника, 36:3 (2006),  222–227     [G. T. Mikayelyan, “Analysis of thermal conditions of high-power semiconductor lasers and their arrays”, Quantum Electron., 36:3 (2006), 222–227    ] 5 1996 22. А. С. Адливанкин, В. В. Безотосный, Н. В. Маркова, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов, С. Н. Порезанов, “Излучательные характеристики двумерных матриц инжекционных лазеров на основе AlGaAs/GaAs на длине волны 0.81 мкм для систем накачки твердотельных активных элементов”, Квантовая электроника, 23:11 (1996),  974–976   [A. S. Adlivankin, V. V. Bezotosnyi, N. V. Markova, G. T. Mikayelyan, Yu. M. Popov, S. N. Porezanov, “Radiative characteristics of two-dimensional arrays of AlGaAs/GaAs diode lasers emitting at the wavelength 0.81 μm and intended to pump solid-state active elements”, Quantum Electron., 26:11 (1996), 949–951  ] 3 1995 23. П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, “Оптическая пpочность зеpкальных гpаней в полупpоводниковом лазеpе на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном pежиме”, Квантовая электроника, 22:9 (1995),  895–896   [P. G. Eliseev, G. T. Mikayelyan, “Optical strength of the mirror faces of a pulsed InGaAs/GaAs/GaAIAs semiconductor laser”, Quantum Electron., 25:9 (1995), 863–864  ] 2 1986 24. М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, “Анализ мод, направляемых усилением, в активных полупроводниковых волноводах”, Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1506–1514   [M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, “Analysis of gain-guided modes in active semiconductor waveguides”, Sov J Quantum Electron, 16:7 (1986), 985–990  ] 3 25. Г. Т. Микаелян, А. И. Свердлов, С. Н. Соколов, “Спектральные свойства излучения инжекционных гетеролазеров с серповидной активной областью”, Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1255–1258   [G. T. Mikayelyan, A. I. Sverdlov, S. N. Sokolov, “Spectroscopic properties of radiation emitted by injection heterolasers with a crescent-shaped active region”, Sov J Quantum Electron, 16:6 (1986), 821–823  ] 26. М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, “Аналог принципа Франка–Кондона для неоднородного по длине гетеролазера”, Квантовая электроника, 13:2 (1986),  302–309   [M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, “Analog of the Franck–Condon principle for a heterojunction laser inhomogeneous over its length”, Sov J Quantum Electron, 16:2 (1986), 201–205  ] 3 1982 27. Ву Ван Лук, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, “Электрическая диагностика режимов усилителя-монитора на основе лазерного диода”, Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1851–1853   [Vũ Văn Luc, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, “Electrical diagnostics of the operating conditions in a monitoring amplifier based on a laser diode”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1194–1196  ] 3 28. By Ван Лык, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, О. Г. Охотников, С. Н. Соколов, “Оптоэлектронное считывание с помощью инжекционного лазера”, Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1825–1830   [Vũ Văn Luc, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, O. G. Okhotnikov, S. N. Sokolov, “Optoelectronic readout with an injection laser”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1175–1178  ] 1 1981 29. By Ван Лык, А. С. Калшабеков, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, С. Н. Соколов, “Влияние предварительных импульсов накачки на выходные характеристики полосковых гетеролазеров”, Квантовая электроника, 8:12 (1981),  2697–2699   [Vũ Van Lуk, A. S. Kalshabekov, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, S. N. Sokolov, “Influence of preliminary pump pulses on the output characteristics of stripe heterojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 11:12 (1981), 1641–1643  ] 1980 30. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах”, Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2487–2488   [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, G. T. Mikayelyan, B. N. Sverdlov, “Injection $GaInPAs/InP$ heterojunction laser with $6-7^\circ$ output divergence, emitting nonwaveguide modes”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1450–1451  ] 31. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов, “Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором”, Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092   [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, Yu. M. Popov, “Injection laser with an unstable resonator”, Sov J Quantum Electron, 10:5 (1980), 620–622  ] 35 1979 32. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Г. Г. Харисов, “Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод”, Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2639–2641   [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, G. G. Kharisov, “Reduction of the divergence of injection laser radiation by excitation of nonwaveguide modes”, Sov J Quantum Electron, 9:12 (1979), 1567–1568] Организации ФГУП Научно-производственное предприятие "Инжект", г. Саратов Московский инженерно-физический институт (Национальный исследовательский ядерный университет) Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва ООО "Лассард", г.Обнинск, Московская обл.