|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
А. А. Мармалюк, А. Ю. Андреев, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. С. Мешков, А. Н. Морозюк, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, В. А. Симаков, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, “Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 120–124   ; A. A. Marmalyuk, A. Yu. Andreev, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. S. Meshkov, A. N. Morozyuk, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, V. A. Simakov, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, “Laser emitters ($\lambda$ = 808 nm) based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 48:1 (2014), 115–119 |
2
|
|
2013 |
| 2. |
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью”, Квантовая электроника, 43:10 (2013), 895–897 [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, A. S. Meshkov, V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, E. I. Lebedeva, V. A. Simakov, “AlGaAs/GaAs laser diode bars (λ = 808 nm) with improved thermal stability”, Quantum Electron., 43:10 (2013), 895–897   ] |
15
|
|
2010 |
| 3. |
Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 697–699 [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699 ] |
3
|
| 4. |
Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 682–684 [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684 ] |
5
|
|
1991 |
| 5. |
Н. Н. Грошкова, М. Н. Грудень, В. Д. Ветров, В. Р. Кушнир, Е. И. Лебедева, А. А. Плешков, М. Н. Шкунов, “Твердотельный импульсный лазер с оптической накачкой решетками лазерных диодов”, Квантовая электроника, 18:3 (1991), 294–295 [N. N. Groshkova, M. N. Gruden', V. D. Vetrov, V. R. Kushnir, E. I. Lebedeva, A. A. Pleshkov, M. N. Shkunov, “Pulsed solid-state laser pumped optically by laser diode arrays”, Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 263–264 ] |
2
|
|
