Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Abrosimov, Nikolai Valentinovich
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person58316
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2023
1. A. M. Gibin, N. V. Abrosimov, A. D. Bulanov, V. A. Gavva, “Thermal conductivity of single-crystals isotopically enriched $^{70}$Ge, $^{72}$Ge, $^{74}$Ge in the temperature range of 80–310 K”, Fizika Tverdogo Tela, 65:8 (2023),  1448–1452  mathnet  elib
2. R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, K. A. Kovalevsky, Yu. A. Astrov, A. N. Lodygin, V. B. Shuman, L. M. Portsel', N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Double magnesium donors as a potential active medium in the terahertz range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:6 (2023),  455–460  mathnet  elib
2022
3. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, S. B. Lastovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, A. A. Aref'ev, “Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation”, Fizika Tverdogo Tela, 64:12 (2022),  1915  mathnet
4. R. Kh. Zhukavin, P. A. Bushuikin, V. D. Kukotenko, Yu. Yu. Choporova, N. Deßmann, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Detection of Ramsey oscillations in germanium doped with shallow donors upon the excitation of the $1s\to2p_0$ transition”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 116:3 (2022),  139–145  mathnet; JETP Letters, 116:3 (2022), 137–143 1
5. V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, A. A. Yakovleva, N. V. Abrosimov, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', Yu. A. Astrov, “Solubility of magnesium in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:9 (2022),  858–861  mathnet  elib; Semiconductors, 57:10 (2023), 465–468
2021
6. R. J. S. Abraham, V. B. Shuman, L. M. Portsel, A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, S. Simmons, M. L. W. Thewalt, “Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:6 (2021),  500  mathnet
7. Yu. A. Astrov, L. M. Portsel', V. B. Shuman, A. N. Lodygin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, “Optical cross sections and oscillation strengths of magnesium double donor in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:4 (2021),  299–303  mathnet  elib 1
2020
8. K. A. Kovalevsky, Yu. Yu. Choporova, R. Kh. Zhukavin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. D. Kukotenko, B. A. Knyazev, V. N. Shastin, “Relaxation of the excited states of arsenic in strained germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1145–1149  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351 1
9. A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of lithium donors in bulk single-crystal isotopically pure $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1134–1138  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1336–1340 1
10. A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of phosphorus donors in bulk single-crystal monoisotopic $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  933–937  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1123–1126 2
11. R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  816–821  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974 1
12. L. M. Portsel', V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, A. N. Lodygin, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Investigation of the magnesium impurity in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020),  321–326  mathnet  elib; Semiconductors, 54:4 (2020), 393–398 9
13. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:1 (2020),  45  mathnet  elib; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 1
2019
14. R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, Yu. Yu. Choporova, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, P. A. Bushuikin, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Relaxation times and population inversion of excited states of arsenic donors in germanium”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 110:10 (2019),  677–682  mathnet  elib; JETP Letters, 110:10 (2019), 677–682  isi  scopus 13
15. R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1285–1288  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257
16. V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1263–1266  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 9
17. N. A. Yarykin, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. Weber, “DLTS investigation of the energy spectrum of Si : Mg crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:6 (2019),  799–804  mathnet  elib; Semiconductors, 53:6 (2019), 789–794 2
18. V. B. Shuman, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', A. A. Yakovleva, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Decomposition of a solid solution of interstitial magnesium in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:3 (2019),  314–316  mathnet  elib; Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297 3
2018
19. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1578  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 2
2017
20. R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, S. M. Sergeev, Yu. Yu. Choporova, V. V. Gerasimov, V. V. Tsyplenkov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, H. Schneider, N. Deßmann, O. A. Shevchenko, N. A. Vinokurov, G. N. Kulipanov, H.-W. Hübers, “Low-temperature intracenter relaxation times of shallow donors in germanium”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 106:9 (2017),  555–560  mathnet  elib; JETP Letters, 106:9 (2017), 571–575  isi  scopus 15
2016
21. K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Polarization of the induced THz emission of donors in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1701–1705  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677
22. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1313–1319  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 8
23. Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, V. V. Litvinov, V. P. Markevich, N. V. Abrosimov, A. S. Kamyshan, A. V. Giro, K. A. Solyanikova, “Formation of donors in germanium–silicon alloys implanted with hydrogen ions with different energies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:8 (2016),  1143–1145  mathnet  elib; Semiconductors, 50:8 (2016), 1122–1124
24. A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:3 (2016),  350–353  mathnet  elib; Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 4
25. A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:20 (2016),  18–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033
2015
26. R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, N. A. Bekin, A. N. Yablonskii, P. A. Yunin, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. Hubers, H. H. Radamson, V. N. Shastin, “Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:1 (2015),  15–20  mathnet  elib; Semiconductors, 49:1 (2015), 13–18
27. K. A. Kovalevsky, N. V. Abrosimov, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, H. -W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon”, Kvantovaya Elektronika, 45:2 (2015),  113–120  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:2 (2015), 113–120  isi  scopus] 6
2014
28. A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 100:12 (2014),  876–880  mathnet  elib; JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775  isi  elib  scopus 6
29. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:12 (2014),  1592–1596  mathnet  elib; Semiconductors, 48:12 (2014), 1552–1556 3
30. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:11 (2014),  1473–1478  mathnet  elib; Semiconductors, 48:11 (2014), 1438–1443 12
2013
31. K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, H. Riemann, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, “Shallow-donor lasers in uniaxially stressed silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:2 (2013),  199–205  mathnet  elib; Semiconductors, 47:2 (2013), 235–241 6
32. A. A. Ezhevskii, S. A. Popkov, A. V. Soukhorukov, D. V. Guseinov, V. A. Gavva, A. V. Gusev, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Monoisotopic silicon $^{28}$Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:2 (2013),  168–173  mathnet  elib; Semiconductors, 47:2 (2013), 203–208 3
2012
33. A. A. Ezhevskii, S. A. Popkov, A. V. Soukhorukov, D. V. Guseinov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Investigation of the structure of the ground state of lithium donor centers in silicon enriched in $^{28}$Si isotope and the influence of internal strain in the crystal on this structure”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:11 (2012),  1468–1474  mathnet  elib; Semiconductors, 46:11 (2012), 1437–1442 4
2009
34. B. A. Andreev, A. A. Ezhevskii, N. V. Abrosimov, P. G. Sennikov, H. Pol, “Dependence of the energy of the resonance states of an acceptor in silicon on the host isotopic mass”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 90:6 (2009),  501–504  mathnet; JETP Letters, 90:6 (2009), 455–458  isi  scopus

Presentations in Math-Net.Ru
1. Фуллерен C60 и другие многогранники с симметриями
N. V. Abrosimov
Summer school "Geometric Control Theory and Analysis on Metric Structures"
July 29, 2014 16:20   

Organisations