|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. В. Боряков, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, П. А. Юнин, “Характеристики структур YBCO|CeO$_2$|Al$_2$O$_3$ при уменьшении толщины подслоя оксида церия”, Физика твердого тела, 66:6 (2024), 848–853   |
|
2021 |
| 2. |
М. В. Дорохин, М. С. Болдин, Е. А. Ускова, А. В. Боряков, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, В. Е. Котомина, Ю. М. Кузнецов, Е. А. Ланцев, А. А. Попов, В. Н. Трушин, “Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании”, ЖТФ, 91:12 (2021), 1975–1983 |
|
2020 |
| 3. |
А. В. Боряков, А. А. Гладилин, Н. Н. Ильичёв, В. П. Калинушкин, С. А. Миронов, Р. Р. Резванов, О. В. Уваров, В. П. Чегнов, О. И. Чегнова, М. В. Чукичев, А. А. Ширяев, “Влияние отжига в газообразном цинке на люминесценцию в видимом и среднем ИК диапазонах ZnSe : Fe$^{2+}$”, Оптика и спектроскопия, 128:11 (2020), 1710–1716 ; A. V. Boryakov, A. A. Gladilin, N. N. Il'ichev, V. P. Kalinushkin, S. A. Mironov, R. R. Rezvanov, O. V. Uvarov, V. P. Chegnov, O. I. Chegnova, M. V. Chukichev, A. A. Shiryaev, “Effect of annealing in gaseous zinc on luminescence in the visible and middle IR ranges of ZnSe : Fe$^{2+}$”, Optics and Spectroscopy, 128:11 (2020), 1844–1850 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
М. В. Дорохин, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, М. С. Болдин, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, “Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1182–1188 ; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, I. V. Erofeeva, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. M. Kuznetsov, M. S. Boldin, A. A. Popov, E. A. Lantsev, A. V. Boryakov, “In-situ doping of thermoelectric materials based on SiGe solid solutions during their synthesis by the spark plasma sintering technique”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1158–1163 |
5
|
|
2018 |
| 5. |
M. V. Dorokhin, I. V. Erofeeva, Yu. M. Kuznetsov, M. V. Boldin, A. V. Boryakov, A. A. Popov, E. A. Lantsev, N. V. Sakharov, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, V. N. Trushin, “Investigation of the initial stages of spark-plasma sintering of Si-Ge based thermoelectric materials”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018), 622–630  |
4
|
| 6. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, В. Е. Котомина, “Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1455–1459 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. M. Kuznetsov, A. A. Popov, E. A. Lantsev, A. V. Boryakov, V. E. Kotomina, “Production of Si- and Ge-based thermoelectric materials by spark plasma sintering”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1559–1563 |
5
|
|
2017 |
| 7. |
А. В. Боряков, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Ершов, “Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$, подвергнутых высокотемпературному отжигу”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1183–1191 ; A. V. Boryakov, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Ershov, “Chemical and phase compositions of multilayer nanoperiodic $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$ structures subjected to high-temperature annealing”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1206–1214 |
3
|
|
2014 |
| 8. |
М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, “Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом”, ЖТФ, 84:12 (2014), 102–106 ; M. V. Dorokhin, E. I. Malysheva, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, D. E. Nikolichev, A. V. Boryakov, S. Yu. Zubkov, “Spin injection of electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs light-emitting diode structures with a tunnel junction”, Tech. Phys., 59:12 (2014), 1839–1843 |
2
|
| 9. |
Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, “Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 839–844 ; D. E. Nikolichev, A. V. Boryakov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, “Chemical and phase composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes”, Semiconductors, 48:6 (2014), 815–820 |
3
|
|
