|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, И. А. Толкачев, К. К. Прудченко, В. С. Юферев, С. В. Иванов, “Генерация СВЧ-импульсов монолитными трехпереходными AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ фотопреобразователями и модулями без обратного смещения”, Письма в ЖТФ, 51:9 (2025), 27–30   |
| 2. |
А. Л. Глазов, В. С. Калиновский, А. А. Капралов, Е. В. Контрош, К. Л. Муратиков, К. К. Прудченко, “Диагностика локальной теплопроводности паяных соединений гетероструктуры InGaP/Ga(In)As/Ge с теплоотводящей AlN-керамикой на основе сплава Sn$_{42}$Bi$_{58}$ методом лазерной фотодефлекционной микроскопии”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 31–34 |
|
2024 |
| 3. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, И. А. Толкачев, К. К. Прудченко, С. В. Иванов, “Монолитный трехпереходный $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs фотопреобразователь лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 50:22 (2024), 35–38 |
| 4. |
А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, Д. С. Буренина, И. П. Смирнова, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, А. И. Лихачёв, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, К. К. Прудченко, А. В. Нагорный, Е. В. Луценко, В. Н. Жмерик, “Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 16–19 |
| 5. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Н. А. Калюжный, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 50:19 (2024), 5–8 |
| 6. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Г. В. Климко, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, П. В. Покровский, М. З. Шварц, “Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем”, Письма в ЖТФ, 50:17 (2024), 38–41 |
| 7. |
В. С. Калиновский, Н. А. Малеев, Е. В. Контрош, А. П. Васильев, К. К. Прудченко, И. А. Толкачев, А. В. Малевская, В. М. Устинов, “Туннельные диоды $n^{++}$-GaAs:($\delta$-Si)/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 39–42 |
| 8. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Д. А. Малевский, К. К. Прудченко, И. А. Толкачев, “Исследование деградации параметров субнаносекундного фотоэлектрического модуля при термоциклировании”, Письма в ЖТФ, 50:6 (2024), 44–46 |
| 9. |
В. С. Юферев, И. А. Толкачев, В. С. Калиновский, “О возможной неединственности преобразования лазерного излучения в электрический ток в многопереходных монолитных фотопреобразователях”, Письма в ЖТФ, 50:1 (2024), 39–42 |
|
2023 |
| 10. |
В. С. Калиновский, Е. И. Теруков, К. К. Прудченко, А. А. Базелей, Е. В. Контрош, И. А. Толкачев, А. А. Титов, “Исследования радиационной стойкости гетероструктурных кремниевых солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 49:16 (2023), 18–21 |
| 11. |
В. С. Калиновский, Е. И. Теруков, Ю. В. Ащеулов, Е. В. Контрош, В. С. Юферев, К. К. Прудченко, А. В. Чекалин, Е. Е. Терукова, И. А. Толкачев, С. Е. Гончаров, В. М. Устинов, “Разработка и исследование макета автономной энергоинформационной станции атмосферной оптической линии связи”, Письма в ЖТФ, 49:2 (2023), 21–25 |
|
2022 |
| 12. |
К. К. Прудченко, И. А. Толкачев, Е. В. Контрош, Е. А. Силантьева, В. С. Калиновский, “Источник электрической энергии на основе Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As/GaAs фотоэлектрического преобразователя и
YPO$_4$:Eu/($^{238}$Pu)радиолюминесцентного излучателя”, ЖТФ, 92:12 (2022), 1875–1880 |
| 13. |
А. Л. Глазов, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, К. Л. Муратиков, “Исследования фотодефлекционным методом теплопроводности и теплового сопротивления слоя спая бессвинцовыми пастами”, Письма в ЖТФ, 48:22 (2022), 39–42 |
|
2021 |
| 14. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Е. А. Гребенщикова, В. М. Андреев, “Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1067–1074 |
|
2020 |
| 15. |
В. Б. Залесский, В. С. Калиновский, А. А. Ходин, “Метрология полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии”, ПФМТ, 2020, № 3(44), 22–29 |
| 16. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 285–291 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 |
4
|
|
2019 |
| 17. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, В. М. Андреев, “Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 30–33 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, V. M. Andreev, “Tritium power supply sources based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1197–1199 |
11
|
| 18. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Андреева, В. М. Андреев, В. В. Малютина-Бронская, В. Б. Залесский, А. М. Лемешевская, В. И. Кузоро, В. И. Халиманович, М. К. Зайцева, “Гибридные солнечные элементы с системой концентрации оптического излучения”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 52–54 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, A. V. Andreeva, V. M. Andreev, V. V. Malyutina-Bronskaya, V. B. Zalesskiy, A. M. Lemeshevskaya, V. I. Kuzoro, V. I. Khalimanovich, M. K. Zayceva, “Hybrid solar cells with a sunlight concentrator system”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 850–852 |
7
|
|
2018 |
| 19. |
А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1211–1215 ; A. V. Malevskaya, V. S. Kalinovskii, N. D. Il'inskaya, D. A. Malevskii, E. V. Kontrosh, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181 |
7
|
| 20. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 |
10
|
| 21. |
Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Е. В. Контрош, Н. Д. Прасолов, В. С. Калиновский, Б. В. Пушный, “Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 25–31 ; R. V. Levin, A. E. Marichev, E. V. Kontrosh, N. D. Prasolov, V. S. Kalinovskii, B. V. Pushnii, “Manufacture and study of switch $p$–$n$-junctions for cascade photovoltaic cells”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1130–1132 |
1
|
| 22. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, Т. С. Табаров, С. В. Иванов, В. М. Андреев, “Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 33–41 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, T. S. Tabarov, S. V. Ivanov, V. M. Andreev, “The effect of charge transport mechanisms on the efficiency of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1013–1016 |
4
|
| 23. |
В. С. Калиновский, Е. И. Теруков, Е. В. Контрош, В. Н. Вербицкий, A. С. Титов, “Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 95–102 ; V. S. Kalinovskii, E. I. Terukov, E. V. Kontrosh, V. N. Verbitskii, A. S. Titov, “Radiation resistance of $\alpha$-Si:H/Si heterojunction solar cells with a thin $i$-$\alpha$-Si:H inner layer”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 801–803 |
7
|
|
2016 |
| 24. |
А. Л. Глазов, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, К. Л. Муратиков, “Исследование процесса отвода тепла на границе полупроводник-керамика в солнечных элементах лазерным термоволновым методом”, Письма в ЖТФ, 42:11 (2016), 33–40 ; A. L. Glazov, V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, K. L. Muratikov, “A study of the heat-removal process at the semiconductor–ceramics interface in solar cells by the laser thermal-wave method”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 570–573 |
7
|
|
2015 |
| 25. |
Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, С. В. Сорокин, Е. В. Контрош, Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, С. В. Иванов, “Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 41:18 (2015), 82–88 ; G. V. Klimko, T. A. Komissarova, S. V. Sorokin, E. V. Kontrosh, N. M. Lebedeva, A. A. Usikova, N. D. Il'inskaya, V. S. Kalinovskii, S. V. Ivanov, “MBE-grown GaAs:Si/GaAs:Be tunnel diodes for multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 905–908 |
2
|
|
2014 |
| 26. |
В. М. Андреев, Е. А. Гребенщикова, П. А. Дмитриев, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, А. А. Усикова, “Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1249–1253 ; V. M. Andreev, E. A. Grebenshchikova, P. A. Dmitriev, N. D. Il'inskaya, V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, A. V. Malevskaya, A. A. Usikova, “Effect of postgrowth techniques on the characteristics of triple-junction InGaP/Ga(In)As/Ge solar cells”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1217–1221 |
9
|
|
2013 |
| 27. |
В. С. Калиновский, Р. В. Лёвин, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, В. Д. Румянцев, В. М. Андреев, “Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1677–1680 ; V. S. Kalinovskii, R. V. Levin, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, V. D. Rumancev, V. M. Andreev, “Fabrication and study of $p$–$n$ structures with crystalline inclusions in the space-charge region”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1652–1655 |
2
|
|
2012 |
| 28. |
А. А. Андреев, В. М. Андреев, В. С. Калиновский, П. В. Покровский, Е. И. Теруков, “Оценка эффективности преобразования тонкопленочных однопереходных $a$-Si : H и тандема $\mu c$-Si:H + $a$-Si:H солнечных элементов из анализа экспериментальных темновых и нагрузочных I–V-характеристик”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 952–959 ; A. A. Andreev, V. M. Andreev, V. S. Kalinovskii, P. V. Pokrovskii, E. I. Terukov, “Evaluation of the conversion efficiency of thin-film single-junction ($a$-Si:H) and tandem ($\mu c$-Si:H + $a$-Si:H) solar cells by analysis of the experimental dark and load current-voltage (I–V) characteristics”, Semiconductors, 46:7 (2012), 929–936 |
3
|
|
1990 |
| 29. |
П. Н. Брунков, В. С. Калиновский, С. Г. Конников, М. М. Соболев, О. В. Сулима, “Особенности поведения радиационных дефектов в структурах
на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1320–1322 |
|
1988 |
| 30. |
В. М. Андреев, Г. М. Гусинский, В. С. Калиновский, О. К. Салиева, В. А. Соловьев, О. В. Сулима, А. М. Хаммедов, “Влияние радиации на фотоэлектрические параметры
AlGaAs${-}(p{-}n)$-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1391–1395 |
|
1987 |
| 31. |
В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Н. Б. Джелепова, В. С. Калиновский, В. М. Лантратов, “Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах”, Письма в ЖТФ, 13:24 (1987), 1481–1485  |
|
1986 |
| 32. |
В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Ю. М. Задиранов, В. С. Калиновский, А. М. Койнова, “Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 719–723 |
|
