|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, А. А. Яковлева, Л. М. Порцель, “Электрически неактивная примесь магния в кремнии”, Физика твердого тела, 67:5 (2025), 797–799   |
|
2024 |
| 2. |
В. Б. Шуман, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, “Взаимодействие Mg с кислородом и углеродом в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024), 75–77 |
|
2023 |
| 3. |
Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 455–460 |
|
2022 |
| 4. |
В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, А. А. Яковлева, N. V. Abrosimov, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, Ю. А. Астров, “Растворимость магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 858–861 ; V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, A. A. Yakovleva, N. V. Abrosimov, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', Yu. A. Astrov, “Solubility of magnesium in silicon”, Semiconductors, 57:10 (2023), 465–468 |
|
2021 |
| 5. |
R. J. S. Abraham, V. B. Shuman, L. M. Portsel, A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, S. Simmons, M. L. W. Thewalt, “Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 500 |
| 6. |
Ю. А. Астров, Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 299–303 |
1
|
|
2020 |
| 7. |
Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Исследование примеси магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 321–326 ; L. M. Portsel', V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, A. N. Lodygin, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Investigation of the magnesium impurity in silicon”, Semiconductors, 54:4 (2020), 393–398 |
9
|
|
2019 |
| 8. |
В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1263–1266 ; V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 |
9
|
| 9. |
Н. А. Ярыкин, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. Weber, “Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 799–804 ; N. A. Yarykin, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. Weber, “DLTS investigation of the energy spectrum of Si : Mg crystals”, Semiconductors, 53:6 (2019), 789–794 |
2
|
| 10. |
В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, А. А. Яковлева, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 314–316 ; V. B. Shuman, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', A. A. Yakovleva, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Decomposition of a solid solution of interstitial magnesium in silicon”, Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297 |
3
|
|
2017 |
| 11. |
В. Б. Шуман, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, “Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1075–1077 ; V. B. Shuman, Yu. A. Astrov, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', “High-temperature diffusion of magnesium in dislocation-free silicon”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1031–1033 |
12
|
| 12. |
Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 830–834 ; T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, V. B. Shuman, B. M. Seredin, “On the limit of the injection ability of silicon $p^{+}$–$n$ junctions as a result of fundamental physical effects”, Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802 |
2
|
| 13. |
В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, “Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 5–7 ; V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, Yu. A. Astrov, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', “Diffusion of interstitial magnesium in dislocation-free silicon”, Semiconductors, 51:1 (2017), 1–3 |
13
|
|
2015 |
| 14. |
В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, “Образование “квазимолекул” S$_2$ в кремнии, легированном серой”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 433–434 ; V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, “Formation of S$_2$ “quasi-molecules” in sulfur-doped silicon”, Semiconductors, 49:4 (2015), 421–422 |
1
|
|
2014 |
| 15. |
Ю. А. Астров, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, “Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 428–431 ; Yu. A. Astrov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, “Doping of silicon with selenium by diffusion from the gas phase”, Semiconductors, 48:3 (2014), 413–416 |
8
|
|
2013 |
| 16. |
Ю. А. Астров, S. A. Lynch, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. А. Махова, А. Н. Лодыгин, “Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 211–215 ; Yu. A. Astrov, S. A. Lynch, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. A. Makhova, A. N. Lodygin, “Silicon with an increased content of monoatomic sulfur centers: Sample fabrication and optical spectroscopy”, Semiconductors, 47:2 (2013), 247–251 |
12
|
|
2012 |
| 17. |
В. Б. Шуман, А. А. Махова, Ю. А. Астров, А. М. Иванов, А. Н. Лодыгин, “О растворимости серы в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 993–994 ; V. B. Shuman, A. A. Makhova, Yu. A. Astrov, A. M. Ivanov, A. N. Lodygin, “Solubility of sulfur in silicon”, Semiconductors, 46:8 (2012), 969–970 |
4
|
|
1989 |
| 18. |
А. С. Зубрилов, О. А. Котин, В. Б. Шуман, “Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 607–611 |
|
1987 |
| 19. |
А. С. Зубрилов, В. Б. Шуман, “Лавинный пробой при больших плотностях тока”, ЖТФ, 57:9 (1987), 1843–1845  |
|
1986 |
| 20. |
А. С. Зубрилов, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман, “Влияние радиационных дефектов на вольтамперную характеристику
кремниевых многослойных структур”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 532–534 |
|
1985 |
| 21. |
Е. Г. Гук, А. В. Ельцов, С. Ф. Луизова, В. Б. Шуман, Т. А. Юрре, “Некоторые технологические аспекты диффузии серы в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 227–229 |
|
1984 |
| 22. |
В. Б. Шуман, “К вопросу о повышении быстродействия диодов”, Письма в ЖТФ, 10:23 (1984), 1424–1426 |
|
1983 |
| 23. |
А. С. Зубрилов, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман, “Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику
кремниевых многослойных структур”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 474–478 |
|
